產業研究機構Counterpoint Research最新數據顯示,今年第二季三星電子在全球高頻寬記憶體(HBM)市場的市占率下滑至第三,由美光拿下第二,但分析師仍舊看好韓國業者繼續主導HBM市場。
報告指出,今年第二季三星HBM全球市占率為17%,略低於美光的21%。SK海力士繼續以壓倒性的62%市占率穩居龍頭。
儘管三星短期市占下滑,Counterpoint預測明年三星HBM市占率有望反彈突破30%,主因是三星即將通過對主要客戶的HBM3E認證,並預計自明年開始出口HBM4晶片,屆時市占率將開始反彈。
Counterpoint表示,隨著HBM4晶片即將於今年稍晚問世,韓國業者在全球HBM市場的主導地位將進一步鞏固。目前主導HBM市場的SK海力士已完成HBM4開發,並建立量產系統。若順利通過品質測試,SK海力士的HBM4將導入輝達下一代AI圖形處理器(GPU)Rubin,並於明年底開始量產。
Counterpoint也指出,中國廠商雖積極開發HBM技術,但目前進展仍受限於高技術門檻。
長鑫存儲(CXMT)主導的HBM3計畫,目前仍未解決速度與散熱等技術瓶頸,原本預期今年出貨,如今可能延後至明年下半。
Counterpoint資深研究員崔正九(Choi Jung-gu)表示:「中國目前尚未克服HBM技術的核心挑戰,包括運作速度不足與熱管理問題。」他補充道:「華為近期引發爭議的自研HBM,也被判定為初階版本,其速度甚至不到標準HBM晶片的一半。」
儘管面臨來自美光與中國的競爭壓力,Counterpoint依舊認為韓國雙雄SK海力士與三星將在HBM市場保持領先地位,但不忘提醒日後隨著美光加快供應節奏,以及中國持續投入資源,未來幾年市場競爭將更加激烈。