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20250910李娟萍/台北報導

2025記憶體高峰論壇 創新局

SK海力士、三星電子同聲:突破記憶體瓶頸,便能在半導體競賽中搶得先機

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SEMICON Taiwan 2025記憶體高峰論壇上,SK海力士與三星電子兩大記憶體巨頭罕見同台,直言記憶體已是AI時代的戰略制高點。圖/Freepik
SEMICON Taiwan 記憶體高峰論壇重點整理

 人工智慧應用加速成長,記憶體與運算架構創新已成產業競爭核心焦點。SEMICON Taiwan 2025記憶體高峰論壇上,SK海力士與三星電子兩大記憶體巨頭罕見同台,直言記憶體已是AI時代的戰略制高點。

 兩家大廠一致指出,隨先進封裝與高效能運算快速推進,誰能率先突破記憶體瓶頸,就有望在新一輪半導體競賽中搶得先機。

 該論壇並邀集美光、聯發科、華邦電、旺宏等重量級高層,從記憶體技術、AI基礎設施到未來應用,提出深度觀察。

 SK海力士副總裁兼高頻寬記憶體(HBM)業務規劃負責人崔俊龍表示,AI模型日益多樣化,對記憶體提出更嚴苛挑戰,僅靠速度提升已不足因應,必須透過新一代系統層級記憶體架構,才能兼顧效能、擴展性與功耗。

 根據預測,至2030年數據中心耗電量將比2023年增加3至6倍,其中AI工作負載將占比高達65%,HBM的深度整合,將是因應能耗挑戰的核心。

 三星電子半導體副總裁、記憶體產品規劃負責人崔長碩則指出,AI計算需求的成長速度遠超過硬體效能提升。過去15年,AI運算需求年均成長4.7倍,但硬體僅提升1.35倍,差距快速擴大,唯有靠HBM、CXL與新世代架構,才能支撐AI高速發展。

 聯發科技術副總裁暨資料中心與AI資深總經理Anki Nalamalpu表示,聯發科正積極推進AI與資料中心策略,並強調效能與總持有成本(TCO)是關鍵。

 透過與輝達在NVLink Fusion與XPU架構的合作,及台積電在2.5D/3.5D封裝、HBM/LPDDR技術的協同合作,聯發科持續優化「Performance per Watt」,同時兼顧Scale-Up與Scale-Out,回應AI對高頻寬記憶體龐大需求。

 華邦電總經理陳沛銘則指出,AI從雲端延伸至邊緣,市場對低延遲、低功耗與即時決策的需求日益迫切。

 華邦電提出的CUBE架構,單顆晶片可提供128Gbps頻寬,並可擴展至1TB/s至4TB/s,藉由3D堆疊與先進封裝,不僅降低功耗、提升密度,更在實際案例中支援30Tbps頻寬,展現AI時代的突破性解決方案,特別適合Edge AI與Cloud AI的互補發展。