長江存儲搶攻HBM 結盟長鑫

　大陸加緊發展AI領域，並持續推進陸產高頻寬記憶體（HBM）。韓媒報導，大陸NAND Flash大廠長江存儲不僅投入研發DRAM，更尋求和本土DRAM巨頭長鑫存儲合作，共同突破HBM技術難關。其中，長江存儲計畫最快在2025年底投資DRAM研發設備。

　ZDNET Korea報導，半導體業界人士透露，雖然長江存儲還沒有DRAM產品商用化的案例，但該公司已持續累積相關技術實力，特別是對HBM領域抱持高度興趣。長江存儲正和部分合作夥伴討論HBM用DRAM研發設備的訂單，預計最快在年底落實。

　半導體市調機構TechInsights高層指出，長江存儲與長鑫存儲正合作開發DRAM及HBM。值得注意的是，雙方正嘗試由長鑫存儲提供DRAM，而長江存儲則提供未來可能應用於HBM的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術。

混合鍵合是一種直接接合各晶片銅導線的技術。由於不需使用傳統用於連接晶片的凸塊（bump），因此有利於縮減HBM的封裝厚度，並且改善其性能及散熱特性。

報導指出，長江存儲大約5年前率先把混合鍵合技術導入NAND Flash製造。該技術是將儲存單元（Cell）與周邊電路（Peri）分別在不同晶圓上製造，再將兩者結合。

　儘管HBM需要至少堆疊16個DRAM，技術難度高出許多，但報導指出，長江存儲在混合鍵合技術上的掌握度高，因此其技術實力不容小覷。

　快科技報導，長鑫存儲在HBM2上取得重大突破，已經給客戶送樣，預計2026年中可小規模量產。同時，長鑫存儲正積極推進HBM3，預計最快2026年至2027年即可完成，甚至能同步做到HBM3E。陸企正在HBM技術上展開合作，如長江存儲、武漢新芯開發封裝技術，通富微電子則在組裝環節有所貢獻。

近年來，長江存儲在推動大陸半導體自主的動作不斷。7月傳出，該公司正加快建設大陸首條全採用本土設備的試驗產線，預計將於下半年開始試產，並力爭在2026年底前挑戰全球NAND Flash市占率達15％。