SK海力士 導入ASML最新EUV

　南韓晶片大廠SK海力士3日宣布，導入ASML最新高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影設備用於量產，成為全球首家在記憶體晶片生產中採用該設備的公司，進度超前主要競爭對手三星。

　SK海力士聲明稿指出，已於首爾主要生產基地的M16晶片製造廠安裝了業界首台High NA EUV微影設備。此設備的數值孔徑較現行EUV設備提高40％，精度提升1.7倍，電路密度增至2.9倍，預計能大幅簡化現有的EUV製程，加速開發下一代記憶體產品。

　半導體製造公司為了提升產品性能和生產效率，微影製程技術的最佳化也就越發重要。越高的數值孔徑，能使電路圖案的製作更精密，每塊晶圓上可生產的電晶體數量也就越多，同時也能有效提高產性能。

　隨著DRAM製程逐步縮小至10奈米以下，目前的EUV製程已瀕臨技術極限，而High-NA EUV能減少製程所需的圖案化步驟並提高成本效益，可望在DRAM進一步微縮的製程中扮演關鍵角色。

　SK海力士研發主管車宣龍（Cha Seon-yong）說道：「藉由關鍵設備的加入，我希望能實現我們一直以來追求的技術願景。我們的目標是善用發展快速的AI，並利用次世代電腦運算市場所需的最新技術，鞏固SK海力士在AI記憶體領域的領導地位。」

　目前含SK海力士在內，全球已有5家公司採用了High-NA EUV設備，分別為英特爾、台積電、三星，以及非營利的比利時微電子研究中心（imec）。而SK海力士是第一家採用High-NA EUV進行量產的記憶體晶片製造商。

　據韓國大報中央日報報導，SK海力士所採用的最新機型Twinscan EXE:5200B，是首款專為晶片量產設計的High-NA EUV設備，原本預定2026年到貨，在SK海力士催貨之下，ASML提早6個月交貨，業內人士估算該設備單價高達4.3億美元。

　與早期主要用於研發的機型EXE:5000相比，5200B機型整體性能、生產效率都更佳。目前使用EXE:5000的大廠包含了英特爾、三星，英特爾主要用於1奈米晶片製程，三星則用於發展記憶體及晶片代工。