攻AI電源 漢磊推SiC新平台

　漢磊科技（3707）2日宣布推出碳化矽（SiC）第四代平面型MOSFET技術平台（G4製程平台），此新平台已通過完整客戶可靠度驗證，有效縮小元件晶片面積並降低導通電阻，有望提升功率密度與整體效能。

　漢磊總經理劉燦文表示，相較於2024年推出的第三代G3技術平台，G4平台在保持高效能的同時，晶片面積縮減約20％，導通電阻（Ronsp）亦改善約20％，大幅滿足客戶對於高整合度、低功耗與高效能的產品需求。

　劉燦文強調，G4技術效能已達到國際IDM（整合元件製造商）大廠的水準，將為合作的設計公司提供更具競爭力的晶片效能與成本結構。

　除了傳統應用於先進太陽能逆變器與儲能系統外，G4平台也支援迅速成長的AI高效能伺服器電源管理，同時適用於電動車功率模組等領域。

　漢磊在化合物半導體領域已有超過15年的深厚實力與量產經驗，自1985年成立以來，一直致力於Linear Bipolar IC的專業代工，目前更是全球首家同時具備GaN（氮化鎵）及 SiC（碳化矽）代工能力的公司。目前公司擁有一座 4／5吋與兩座6吋晶圓廠，並逐步強化製程與產能。

　2025年上半年，由於終端市場仍在庫存調整階段，漢磊業績面臨壓力；但隨著市場回溫，下半年景氣有望逐步復甦。

　長期來看，在全球節能減碳的趨勢帶動下，碳化矽與氮化鎵等化合物半導體勢，將受惠於綠能產業、電動車與AI應用的快速成長，帶動功率半導體市場龐大需求。

　產業界人士指出，碳化矽目前正處於 由「早期導入」走向「快速放量」的拐點：車用與能源應用是現階段的最大驅動力，而AI／HPC電源則是新興增量需求。台灣廠商雖非材料巨頭，但透過代工與材料供應，有望承接國際廠轉單機會。