LG搶攻AI 開發混合鍵合機

　根據外電報導，韓國大廠LG電子傳將進軍半導體設備領域，啟動開發被譽為「夢幻半導體設備」的混合鍵合機（Hybrid Bonder），鎖定用於生產高頻寬記憶體（HBM）的先進製程關鍵設備。

　此舉不僅呼應LG集團會長具光謨積極推動的AI戰略，也與公司擴大B2B（企業對企業）業務版圖的目標相契合。

　HBM為AI加速運算不可或缺的核心記憶體，其市場需求在AI與高效能運算（HPC）浪潮驅動下快速擴張。

　LG電子此番進軍關鍵設備開發領域，將與三星電子、韓華半導體、韓美半導體等具技術實力的業者展開正面競爭，挑戰既有市場格局。

　據業界消息指出，LG電子旗下生產技術研究所（PRI）已啟動混合鍵合機的研發工作，並預計於2028年進入量產階段，LG方面也已正式確認此項目進度。

　PRI原為內部自動化設備開發部門，近年來逐步拓展至半導體封裝技術領域，現正積極擴編，招募具封裝與先進製程經驗的專業人才，並深化與學術界的合作關係。

　業者指出，混合鍵合技術（Hybrid Bonding）是3D堆疊晶片的核心製程之一，與傳統的熱壓接合（Thermo-Compression Bonding，TC Bonding）不同，混合鍵合可在無需錫凸點（bump）的情況下，將金屬與絕緣層同步鍵合，實現更高的I／O密度、更薄的封裝厚度，以及更佳的熱電性能，為HBM與先進封裝技術帶來關鍵突破。

　目前混合鍵合已應用於部分NAND Flash與影像感測器（CIS）封裝，但尚未大規模導入HBM製程，市場尚處於早期階段，顯示未來商機潛力巨大。