國儀中心聯手鼎極 提升晶圓產能

　國研院國儀中心24日宣布與鼎極科技攜手，共同開發「紅外線奈秒雷射應用於碳化矽（SiC）晶圓研磨製程」關鍵技術，晶圓破片率可自5％降至1％，且裸晶圓研磨耗材成本約從23美元降至0.1美元，並可避免機械研磨使用的鑽石顆粒受主要出產國中國大陸箝制。

　鼎極從今年起到2027年與美國晶片製造商安森美（ON Semiconductor）捷克廠合作進行技術驗證，從Beta-site測試開始，力拚試量產，並將機台推廣到歐洲。未來還計畫擴展至8吋碳化矽晶圓與多層異質結構元件應用，也有機會應用於其他高硬度材料精密加工，如氮化鎵、陶瓷基板與先進封裝材料。

　這項技術主要透過國儀中心累積的精密光學與先進雷射研發能量，導入紅外線奈秒級雷射系統，有效回應產業對於高效率、低損耗製程的迫切需求。合作記者會上包括國研院院長蔡宏營、國研院國儀中心主任潘正堂、副主任林郁洧，與鼎極董事長坂西昇一、營運長錢俊逸均出席。

　錢俊逸表示，再生能源、工業應用如伺服器電源，及衛星、航太、國防等三大領域構成碳化矽市場「三本柱」，預估2029年碳化矽市場上看100億美元，是台灣再次抓住關鍵產業的機會。

　錢俊逸還說，透過減少製成耗材使用、製程最佳化、製程簡化三解決方案，預估前期晶圓製造可減少超過10％生產成本，後期晶圓後製程可再降低20％成本。

　國儀中心也介紹，以雷射研磨可將每片碳化矽晶圓研磨時間從三小時縮短為兩小時，且不會造成晶圓損傷。另一優點是碳化矽晶圓硬度由原本約3000HV（維氏硬度試驗）降至60HV，顯著降低加工時間、成本。為國產化合物半導體功率元件量產鋪路，拓展未來電動車、再生能源、資通訊設備等民生應用場域發展潛力。