美光斥2,000億美元 擴大在美投資

　美光科技12日宣布將對美國擴大投資，計劃斥資約2,000億美元用於晶片製造和研發。

　該業者表示，這項投資將包含1,500億美元用於記憶體製造，以及500億美元在研發領域。美光計畫在愛達荷州、紐約州和維吉尼亞州進行投資，把先進的高頻寬記憶體（HBM）封裝技術引入美國，它表示該投資預計將創造9萬個直接和間接就業崗位。

　此外先前在《晶片與科學法案》資助之下，美國多座晶圓廠正在建設或即將要進入量產，但一些業者的廠房則因為受到環境評估以及當地居民的抗議而遲遲未開工，這些企業正「深陷鄰避效應（NIMBY）的困境中」。

　所謂的鄰避效應，意即英文「不要在我家後院」（Not In My Back Yard）的縮寫NIMBY。

　科技新聞網站Tom’s Hardware引述SemiAnalysis報導指出，目前遭遇阻撓的廠房包括艾克爾在亞利桑那州的先進封裝廠、美光在紐約州的DRAM廠，以及SK海力士在印第安納州的高頻寬記憶體廠。據報導，一個價值200億美元的晶圓廠若延遲其建設，每天將造成500萬美元的損失。

　艾克爾擬耗資20億美元在亞利桑那州皮奧里亞市（Peoria）附近建造一座晶片封裝廠，但該計劃正面臨附近的Vistancia居民的抵抗，當地人擔憂建廠可能會對水資源造成壓力，並使交通擁塞惡化。在紐約州克萊市（Clay），美光科技原本將投資1,000億美元興建DRAM生產據點，但如今該計畫進度也出現落後，歸因於環境審查已被延後，接收民眾意見的期限則延至8月。

　至於SK海力士方面，這家韓國記憶體晶片大廠擬於印第安納州的西拉法葉（West Lafayette）斥資39億美元打造HBM生產基地，雖然獲得批准，但也耗費大約7個小時才說服市議會。