英特爾揪聯電合作 強化美國製造

　全球半導體巨頭英特爾與聯電攜手共同開發12奈米製程，近期再揭最新進展。聯電美國分公司總經理林子傑表示，雙方聚焦於12奈米製程技術，雖然屬於成熟技術，但通過開發衍生技術，能為客戶創造更多價值。另未來亞利桑那州廠由英特爾負責運營，提供多元化產能選擇、強化美國本土製造能力；預計今年10月提供PDK（製程設計包）0.5予早期客戶，2026年4月提供PDK 1.0，力拚2027年元月實現量產。

　林子傑提到，基礎技術（Base Technology）由聯電提供，由聯電台南團隊與英特爾亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication協同設計，未來會由英特爾負責晶圓生產、運營。

　雙方進展順利，自去年1月宣布合作，2025年10月即準備向早期客戶提供PDK 0.5，明年4月就會有完整PDK 1.0提供給所有客戶。林子傑透露，聯電團隊與英特爾晶圓代工非常緊密配合，為的就是能快速地將設計服務導入客戶產品。

　英特爾總部發表會上，聯電台灣團隊於凌晨四點同步在線上進行支援，林子傑分析，合作為聯電、英特爾、客戶創造三贏；對客戶來說，在具競爭力的FinFET（鰭式場效電晶體）節點能有更多產能選擇、加深供應鏈韌性，同時能享受完整技術迭代服務。

　聯電同時提供龐大的客戶基礎，另外也有晶圓代工廠的Know-how及管理文化，完整的IP（矽智財）及設計資源，都有助於加速流片（Tape-out）。林子傑也補充強調，12奈米瞄準射頻RF、高電壓、電源管理等晶片應用，初期終端應用將鎖定如DTV、STB（數位視訊轉換）等。

　而英特爾則提供多年積累之FinFET研究資源、產品量產經驗，關鍵在於英特爾領先的先進封裝生態系統，如Chiplet聯盟，最為重要的是完全在美生產製造，主動為客戶降低地緣風險。

　聯電2024年研發支出為新台幣156億元，除了前述12奈米合作平台外，還成功開發22奈米影像訊號處理器、28奈米嵌入式高壓低功耗製程平台及氮化鎵射頻開關元件製程。