長鑫存儲DDR5良率 韓媒打臉

大陸記憶體晶片巨頭長鑫存儲（CXMT）近期傳出，已成功量產DDR5記憶體，技術追趕速度驚人，與三星電子2021年量產的時間差僅不到3年，引發業內高度關注。但韓媒26日指出，受到美國禁止極紫外光（EUV）曝光機等先進半導體設備出口大陸的影響，長鑫存儲生產DDR5的良率可能僅為10％至20％。

陸媒稍早報導，長鑫儲存近期啟動DDR5生產，其公布的良率約80％，與韓國企業生產DDR5的80％至90％良率相比，雙方差距並不顯著。但韓國媒體則持不同觀點。

據Business Korea報導，韓國半導體產業人士表示，由於大陸廠商無法取得荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）的EUV曝光機，在製程良率方面仍有相當大進步空間。韓國半導體產業協會則建議，三星電子應加速布局長鑫存儲無法觸及的市場領域。

另據ASML近期對外展示，把新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）用於DRAM製程的可能性，聲稱導入後有望降低30％的成本。但由於長鑫存儲等陸廠自2019年起就無法進口EUV設備，預期與其他地區業者的成本差距將持續擴大。

另一方面，川普2025年1月重返白宮執政後，大陸半導體產業恐遭遇更嚴峻的挑戰。美國拜登政府23日宣布，對大陸生產的成熟製程晶片啟動「301條款」調查，此舉可能為2025年1月就職的川普提供現成的工具，以開始實現對大陸商品徵收60％關稅的競選承諾。

報導還指出，在拜登政府時期數度未被列入管制清單的大陸記憶體龍頭長鑫存儲，可能在川普上任後就被納入制裁黑名單。