台積加速在美發展 Fab 3赫見A16 「台灣矽盾」優勢恐弱化？

　美國商務部日前拍板補助台積電亞利桑那州廠（TSMC Arizona）66億美元設立三座晶圓廠，並依據完工情況支付補助金。其中，TSMC Arizona第三廠（Fab 3）規劃先進製程除2奈米外，A16奈米片（Nanosheet）製程赫然在列。

　TSMC Arizona總投資規模上看650億美元（約新台幣2.11兆元），第一座4奈米晶圓廠2025年上半年開始生產，第二座2奈米製程晶圓廠，將採下一世代奈米片電晶體結構技術，預計2028年量產。第三座晶圓廠將在21世紀20年代底採用2奈米或更先進製程技術生產。

　台積電董事長暨總裁魏哲家在美商務部新聞稿中，首度以Accelerate（加速）說明美國布局，邁入美國《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）這個階段，對強化美國半導體生態系統是很關鍵的一步，此次協議簽署將助力我們發展在美國境內最先進半導體製造技術。

　台積電表示，TSMC Arizona位處美國境內（Onshoring）半導體製造最前線，對提升美國競爭力和其在5G/6G及AI時代的領導地位，是至關重要的角色。

　「美國製造」成顯學，業界認為補助一出，將全速推進美國最先進半導體製程發展，台廠一則以喜一則以憂，喜的是設備廠包括家登及中砂等將加速赴美設廠，國際化布局成形，憂的是「台灣矽盾」優勢逐步稀釋。

　台積電A16製程為2奈米後的下個節點，惟加入超級電軌（Super Power Rail）全新電晶體架構，意謂又一關鍵技術將複製到美國廠。

　從台積電迭代製程演進觀察，4/5奈米製程2020年量產，與明年美國第一廠量產間隔五年；若第二廠開始包含2奈米，預定2028年量產，與表定台灣2025年量產僅間隔三年，追趕時間差縮短。另外，台積電A16製程預定於2026年量產，擬在21世紀20年代底投放至美國廠，但屆時台灣廠區應已推進至更先進製程，最先進仍留在台灣，符合先進製程於台灣量產後，才會至美國生產之規劃。

　知情人士透露，到年底美商務部至少向台積電發放10億美元，更嚴格的監管也隨之而來。美商務部文件載明，台積電除非特殊情況，否則五年內不得回購股票；如果專案獲利情況超過預期，申請人需在達到約定的門檻後向政府返還一定比例補助金。該部分指子公司TSMC Arizona，估計對母公司影響不大。（相關新聞見A6）