格棋新廠落成 碳化矽再添新尖兵

　台灣碳化矽（SiC）產業新兵－格棋化合物半導體公司23日隆重舉行中壢新廠落成典禮；成立至今3年，格棋在股東鼎力支持，團隊齊心協力下，展現極高的經營效率，第2年便完成A輪15億元募資，第3年中壢工業區自有土地的新廠房啟用，預計今年底完成架設百台6吋、20台8吋長晶爐，並開始小批量出貨給國內外供應商，新廠落成標誌著格棋邁向一個新的里程碑。

積極擴產 提升產能競爭力

　格棋董事長張忠傑表示：「中壢新廠的落成是格棋發展的重要里程碑。我們將持續投資先進設備與技術，以滿足日益成長的市場需求，鞏固全球碳化矽供應鏈中的關鍵地位。」

　格棋專注於第三類半導體碳化矽長晶工藝技術開發，2016年由技術長葉國偉博士領導的技術團隊正式組成，開始投入發展碳化矽長晶技術，從4吋、6吋、8吋晶體長晶開發，一路不斷改良改善，團隊累積豐富經驗，迄今對碳化矽市場動向、以及長晶、晶圓等產品品質達到很高的掌握度與信心。

　格棋中壢新廠投資金額新台幣6億元，用以購買土地及600平方公尺廠房，建置碳化矽長晶爐，包括8吋長晶爐20台及6吋長晶爐100台，規劃2025年底擴增8吋長晶爐至200台，以供應海外及台灣市場，2028年擴增長晶爐目標上看千台；格棋公司推估，今年第四季將達到滿產，6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片。

　因應2050淨零碳排，企業永續經營ESG指標；格棋中壢新廠規劃導入能源管理系統及儲能系統，並整合再生能源系統，透過削峰填谷方式平衡能源需求，減少高峰時段的能源負荷，達到進一步降低能源成本及碳排放目標。

攜手中科院 進軍高頻通訊

　23日格棋新廠落成，同時宣布兩項重要策略合作協議。

　國內部分，與中科院簽署技術合作協議，透過結合格棋核心的長晶技術＋中科院碳化矽半絕緣長晶專利，應用在高頻、高功率及功率放大器等領域，共同開發高頻通訊用碳化矽元件，加速進軍高頻通訊碳化矽市場的腳步，為5G／B5G通訊基礎建設提供關鍵元件。滿足在地化的市場缺口之外，也推動國內碳化矽產業鏈的完整發展。

　中科院院長李世強博士指出：「隨著通訊頻段不斷提高，具有高電子遷移率的化合物半導體（SiC）元件逐漸取代傳統矽基高頻元件。我們期待與格棋的合作能為台灣在高頻通訊領域帶來突破性進展，強化國家在全球通訊產業鏈中的戰略地位。」

格棋×三菱 拓展車用市場

　格棋也同時宣布與日本三菱綜合材料商貿簽署策略合作協議，透過三菱的合作，進一步開拓日本及海外重要市場，將碳化矽產品拓展應用到綠能、電動車及功率半導體等領域；計劃由三菱綜合材料商貿提供6吋、8吋磊晶片（EPI Wafer）材料，格棋負責整合台灣合作夥伴資源，向日本客戶供應6吋及8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）與磊晶片（EPI Wafer）。

　三菱綜合材料商貿社長橋本良作表示：「台灣與日本在半導體產業都具有關鍵影響力。我們看好碳化矽元件在日本市場的發展前景，相信與格棋的合作將為雙方帶來互利共贏的機會。」

技術優勢 引領產業發展

　格棋為本土新創的碳化矽材料研發、製造供應廠商，團隊專注於化合物半導體長晶等第三類化合物半導體的工藝技術開發，擁有獨特的量產製程技術，著眼未來能源轉型與電動車市場之龐大商機，致力於打造兼具高效能與高可靠性的碳化矽晶片。

　格棋獨特的碳化矽晶體成長技術，包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術，以及原料控制和熱處理技術，其核心技術可有效提升晶體質量，降低缺陷密度，可為客戶提供高品質、高可靠性的晶圓產品。

　格棋技術長葉國偉博士強調：「碳化矽半導體憑藉高效、高頻以及耐高溫等特性，在電動車、混合動力車還有5G通訊等領域有著廣泛應用。隨著技術日益成熟，成本逐漸下降，市場需求快速增長，我們的目標是透過持續創新，鞏固公司在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。」

　2024年10月隨著中壢新廠的落成，布局碳化矽長晶、晶圓之產能、機台、技術等陸續到位，以及與國內外不同領域夥伴的戰略合作陸續開展，格棋化合物半導體正式邁入另一發展階段，未來企業將持續投資研發，優化製程技術，努力提供客戶高品質的碳化矽晶圓產品，強化台灣在全球第三類半導體產業中的領先地位。