SK海力士衝記憶體晶片 報捷

　全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士26日宣布，最新一代12層HBM3E晶片已開始量產，預計今年底前開始交貨，更加奠定該公司在輝達供應鏈中的地位，激勵股價在26日收盤暴漲9％，創1年多來最大漲幅。

　SK海力士自2013年推出全球首款HBM以來，便是全球唯一一家開發並供應從第一代（HBM）到第五代（HBM3E）完整HBM產品線的公司。今年3月SK海力士才剛宣布8層HBM3E開始交貨，短短6個月後又宣布開始量產12層HBM3E，再次凸顯SK海力士在先進記憶體晶片市場的實力。

　SK海力士宣稱12層HBM3E容量達到36GB，較8層HBM3E容量擴大1倍，是目前容量最大的HBM，但與8層HBM3E維持在相同厚度。SK海力士為此將每片DRAM晶片厚度減少40％，並使用矽穿孔技術（TSV）進行垂直堆疊。

　SK海力士於新聞稿中表示，12層HBM3E無論在速度、容量和穩定性等AI記憶體至關重要的領域，皆達到全球最高標準。12層HBM3E的記憶體操作速度提升至9.6Gbps，是目前市面上最高記憶體速度。

　以Meta開發的大規模語言模型「Llama 3 70B」為例，若由內建4個SK海力士HBM3E的單一GPU驅動，可在1秒內讀取700億個參數共35次。

　全球三大記憶體晶片大廠為了搶攻AI市場正加緊腳步發展HBM，除了SK海力士率先搶下多數輝達訂單之外，三星電子也在7月宣布12層HBM3E做好量產準備，預計今年下半開始交貨。

　美光也在近日表示HBM需求旺盛促成上季營收、獲利優於預期，並發表樂觀財測。好消息接二連三推動亞洲記憶體相關類股在26日強力反彈，東京威力科創在收盤上漲8％，愛德萬測試（Advantest）大漲5％，三星上漲4％。