急改DRAM產線 SK海力士轉生產HBM3E

　高頻寬記憶體（HBM）需求殷切，外傳SK海力士將在南韓利川半導體廠M10F改裝DRAM生產線，轉為生產第五代HBM3E，而M10F生產線啟動後，SK海力士HBM月產能可望增加至15萬片。

　根據外電報導，SK海力士正在將生產DRAM的M10F產線，轉生產HBM，M10F產線將用來生產HBM3E，目標是在2025年初前，完成基礎設施建設，並從2025年第一季開始引進設備。

　業界人士預估，M10F產線每月約可生產1萬片HBM，產線規模比既有HBM產線小。目前SK海力士HBM月產能約為14萬片，M10F產線正式投產後，SK海力士HBM月產能將增至15萬片。

　AI已成為科技業軍備競賽，而HBM是其中最重要元件之一，AI晶片組每處理一次任務，GPU就會把資料傳送至記憶體，需要HBM的高速資料傳輸能力。

　據了解，美國七大科技巨擘，包括蘋果、微軟、Google、亞馬遜、輝達、臉書及特斯拉，均向SK海力士提出供應HBM的要求，致使SK海力士積極擴充HBM產能。

　考量M10F量產時間等因素，SK海力士將從2024年第四季訂設備，並將引進用於記憶體堆疊（Stacking）的封裝設備、測試設備等。

　SK海力士競爭對手三星電子、美光等公司，也正在擴大HBM產量，加上長鑫存儲等中國業者宣布進軍HBM市場，SK海力士為因應此狀況，已訂下「專注量產最先進的HBM」的戰略，之後將專注開發、量產最先進HBM，並逐步淘汰舊產品。