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20240812陳穎芃/綜合外電報導

HBM需求熱 韓記憶體晶片 H1對台出口增225%

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今年上半韓國對台記憶體晶片出口額達到42.6億美元,足足較去年同期成長225%。圖/美聯社

 《韓國時報》報導,今年上半韓國對台記憶體晶片出口額達到42.6億美元,足足較去年同期成長225%,主要是受到高頻寬記憶體晶片(HBM)需求推動,因為輝達晶片需求爆量不只讓台積電訂單接不完,也讓SK海力士生產的HBM晶片大量送往台積電進行封裝。

 根據韓國國際貿易協會(KITA)統計,今年上半韓國記憶體晶片總出口額年增88%,同一期間韓國對台記憶體晶片出口增幅高達225%,使台灣超越越南及美國,成為韓國記憶體晶片第三大進口國。

 韓國產業研究院(KIET)研究員Kim Yang-paeng表示:「我們認為今年上半韓國對台灣記憶體晶片出口激增主要來自SK海力士對台積電供貨。」

 今年上半輝達AI晶片持續供不應求,不僅造福代工製造並負責最後封裝的台積電,也造福SK海力士,因為SK海力士目前是輝達主要HBM供應商。今年第二季SK海力士HBM晶片營收年增250%以上,並預期今年全年HBM晶片營收成長300%。

 業界人士預期未來韓國對台灣記憶體晶片出口額將加速成長,因為SK海力士對手三星電子也可望為輝達供應HBM晶片。

 路透日前引述消息報導,三星生產的8層HBM3E晶片已通過輝達測試,可望在近日簽約,最快今年第四季開始為輝達供貨。

 路透在今年5月曾引述消息報導,三星自去年起便努力想成為輝達HBM3供應商,無奈三星生產的HBM3及HBM3E因過熱及耗電問題,遲遲無法通過輝達測試。三星為此重新調整晶片設計,終於讓HBM3在近日通過輝達測試,將應用於輝達針對中國市場推出的H20處理器。

 三星稍早向路透發出聲明,表示三星產品確實依照進度測試中,目前「正與不同客戶合作測試且過程相當順利」,但並未正面回應有關輝達測試的傳聞。