緊追SK海力士、美光 三星HBM3E晶片 通過輝達測試

　路透引述消息人士指出，三星電子生產的第五代高頻寬記憶體晶片（HBM3E）已通過輝達測試，可望在近日簽約，最快今年第四季開始為輝達供貨，意味著三星正一步步趕上對手SK海力士的腳步。這項消息激勵三星股價在7日收盤上漲3.0％，超越大盤的1.8％漲幅。

　消息稱三星這回通過輝達測試的是8層HBM3E晶片，但三星生產的12層HBM3E尚未通過測試。

　HBM是2013年問世的DRAM晶片規格，能將記憶體層層堆疊以節省空間並提高節能效率，成為AI處理器重要元件。自從輝達AI處理器需求爆量後，全球記憶體大廠積極爭取成為輝達供應商，但三星進度落後SK海力士及美光。

　路透今年5月曾報導，三星自去年便努力想成為輝達HBM3供應商，無奈其生產的HBM3及HBM3E因過熱及耗電問題，遲遲無法通過輝達測試。三星為此重新調整晶片設計，終於讓HBM3在近日通過輝達測試，將應用於輝達針對中國市場推出的H20處理器。

　對此消息，三星稍早聲明表示，三星產品確實依照進度測試中，目前「正與不同客戶合作測試且過程相當順利」，但並未正面回應有關輝達測試的傳聞。

　半導體研究機構SemiAnalysis創辦人派特爾（Dylan Patel）表示：「三星仍在追趕HBM技術進度。儘管三星可望在第四季開始出貨8層HBM3E，但SK海力士已經要出貨12層HBM3E。」

　目前SK海力士是輝達主要HBM供應商，美光也將為輝達供應HBM3E，但隨著AI需求持續擴大且HBM漸成主流，未來三星仍有許多發展空間。

　三星預期今年第四季前旗下HBM晶片營收將有60％來自HBM3E。路透調查分析師估計今年上半三星DRAM部門營收約22.5兆韓元（約164億美元），其中約10％來自HBM。