長江存儲告美光 勝率恐不高

　大陸記憶體巨頭長江存儲遭美國列入黑名單後，持續自行開發NAND技術，日前在美國再度對美光提起訴訟，指控其侵犯11項專利，對美光頻頻發動訴訟戰，奮力反擊美國政府嚴格限制。

據陸媒報導，長江存儲二度提告，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash，以及美光一些DDR5 SDRAM產品（Y2BM系列），侵犯長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。

台系記憶體業界大老解讀，長江存儲成功開發Xtacking技術，累積自己的3D NAND專利，要以3D NAND技術，追趕三星、SK海力士等一線NAND Flash大廠。

由於長江存儲NAND技術是自行開發，技術的確還不錯，因此，提告美光的動作，並不令業界意外。但如果該公司DRAM技術，也可以告美光，則有點令人意外。

另有資深業界人士認為，長江存儲跑到美國本土提告，預期專利勝訴機率不高，反而政治操作的意味比較濃厚。

亦有業者認為，長江存儲與美光的地位，有如中美談判的白手套，因此，長江存儲的提告動作，也可視為中美貿易戰的延續。

美國商務部於2022年底，將長江存儲列入了實體清單，這使得該公司無法從美國公司獲得先進的半導體設備，製造128層及以上的3D NAND Flash產品。

　儘管受到美國政府的嚴格限制，長江存儲仍透過原有的設備及國產設備，發展其3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產品持續生產，並正在開發新一代的Xtacking 4.0架構的3D NAND Flash。

業界估計，2024年整體NAND供給位元成長率約達20％，而遭受美國制裁的長江存儲，2024年位元成長率高於業界平均，可望達六成以上。

主要原因在中國官方政策性推動國產化的趨勢下，各家手機廠、記憶體模組廠等應用，均向長江存儲搶購，以確保產品符合國產化的要求，使長江存儲產能幾乎全部被包下，致使該公司出貨量大幅增加。

　長江存儲的全球市占約5％，對全球市場的影響性相對有限，但坐擁中國龐大內需市場，確實使長江存儲的業績興旺。