三星HBM3E 傳Q3供貨輝達

　台系供應鏈近期傳出，三星的最新一代高頻寬記憶體HBM3E，將於8月通過輝達（NVIDIA）認證，並於第三季加入供貨行列。

　三星對此一消息，迄今並未證實。但業界人士分析，在SK海力士、三星及美光前三大廠，擴產升級HBM製程後，記憶體總投片量將不增反減，對通用型DRAM產能排擠效應，也將逐漸顯現，將有助於DRAM價格維持漲勢。

　目前SK海力士和美光是輝達的HBM3E主要供應商，並已開始出貨，而輝達對三星的HBM3E認證，據傳將於近期拍板定案，較原先預期的第四季提早。

　目前記憶體除了伺服器應用外，其餘消費型產品近期的拉貨動能轉弱，但台系供應鏈預料，記憶體三大廠至少挪移約20％～30％產能生產HBM，勢將造成DRAM供應緊缺，進一步推動DRAM價格上漲。此外，前三大廠近來相繼投入資本支出升級HBM製程，但總投片量將不增反減，預期2025年產量將由144.6萬片，減少至134.6萬片。

　另一方面，市場需求回復成長，據IDC預估，2024年全球手機將成長4％，達12.1億支，並在2024～2028年保持溫和2.3％的年複合成長，考量各品牌陸續推出搭載AI相關功能的產品後，對記憶體規格要求的提升，將有助推動DRAM的出貨表現。

　另外，全球資料中心雨後春筍般的建置，也一定程度刺激伺服器用記憶體的需求量，而記憶體三大原廠皆表示，將持續擴大HBM產能，通用型DRAM產能受到排擠下，DRAM價格將有望保持上升趨勢。

　惟業者也指出，目前下游零組件庫存已相對充足，因此預計2024年第三季價格調漲幅度將低於上半年，但整體而言，記憶體後市仍可正向看待。