抗台積 三星要用4奈米產HBM4

　《韓國經濟日報》報導，三星電子為了在AI市場扳回一城，打算以4奈米製程量產第六代HBM4高頻寬記憶體晶片，結合自家晶片設計與代工製造的優勢，來對抗SK海力士與台積電結盟勢力。

　據了解，三星將使用4奈米製程來量產第六代HBM4晶片的邏輯晶粒（logic die），也就是HBM晶片堆疊的底層，是HBM晶片的核心元件。

　目前為止，三星、SK海力士及其他記憶體晶片大廠在生產最新HBM3E晶片時，都自行包辦所有元件生產，但第六代HBM4晶片需要依照客戶需求進行客製化，因此以先進製程生產邏輯晶粒才能讓HBM4晶片包含更多客製功能。

　4奈米製程是三星目前主打的先進製程，良率超過70％。三星旗艦AI手機Galaxy S內建的核心晶片Exynos 2400就是採用4奈米製程生產。

　目前三星採用10奈米製程生產HBM3E，因此外界原先預期三星會採用7奈米或8奈米製程生產HBM4邏輯晶粒。三星7奈米製程自2019年開始營運，技術趨近成熟。

　消息人士表示雖然4奈米製程成本較高，但晶片性能和功耗也更上一層樓，因此三星決定靠4奈米製程來與SK海力士及台積電一較高下。

　目前在AI加速器市場握有80％以上市占率的輝達，由SK海力士獨家供應第四代HBM3晶片。今年4月SK海力士和台積電簽訂合作備忘錄，聯手優化HBM產品與CoWoS技術融合，預期在2026年量產HBM4。

　三星發言人表示：「三星與台積電、SK海力士不同，因為我們有自家晶片設計師參與HBM4生產，形成獨特的優勢。」

　但SK海力士也不甘示弱，據傳近日已決定和台積電在原先規劃的12奈米製程外，額外增加5奈米製程來生產HBM4邏輯晶粒。