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20240710李娟萍/台北報導

全球三大廠HBM衝擴產 明年倍增

SK海力士、三星及美光2025年新增投片量估27.6萬片,總產能拉高至54萬片

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SK海力士、三星及美光投入高頻寬記憶體(HBM)產能擴充計畫,估\2025年新增投片量約27.6萬片。圖/美聯社
全球三大廠HBM發展現況

AI應用熱!SK海力士、三星及美光等全球前三大記憶體廠,積極投入高頻寬記憶體(HBM)產能擴充計畫,市場人士估計,2025年新增投片量約27.6萬片,總產能拉高至54萬片,年增105%。

 HBM是AI晶片占比最高的零組件,根據外媒拆解,輝達H100近3,000美元成本,SK海力士HBM成本就占2,000美元,超過生產封裝。

 HBM經歷多次迭代發展,進入第四代HBM3和第五代HBM3E,AI晶片相繼採用HBM3E,SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場,而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。

美光2023年9月宣布推出HBM3E,2024年開始供應輝達;三星的HBM3E,則由輝達及AMD驗證之中,據業者了解,三星的HBM3E,預計第四季通過客驗,HBM正成為高效運算(HPC)軍備競賽核心。

在擴產計畫上,三星內部正將南韓平澤廠區P1L/P2L/P3L,逐步升級為DDR5和HBM共用產線;華城廠區Line13/15/17,則正逐步升級到1α製程,僅保留小部份產能停留在1y/1z製程,以應對特殊工業及航太等領域需求。

 SK海力士以南韓利川市M16產線生產HBM,並著手將M14產線升級為1α/1β製程,以供應DDR5和HBM產品。此外,大陸無錫廠在取得美國政府解禁後,現正積極將製程由1y/1z升級到1z/1α,分別用於生產DDR4及DDR5產品。

 美光HBM前段在日本廣島廠生產,產能預計今年第四季提升至25K;長期將引入EUV製程(1γ、1δ),並建置全新無塵室。

短期計畫則以台灣林口與台中廠產能因應,即增加1β製程比重,預計2025年底HBM總投片量約達6萬片。

 至於美國製造,維吉尼亞州Dominion Fab6可能擴建供應HBM前段。HBM後段製程方面,美光暫無明確計畫,推測2026年以前都放在台灣。

 全球三大廠的HBM投片量,將連二年保持高成長,2025年底全球總投片量約達每月54萬片。