漢磊MOSFET G3方案 通過客戶驗證

　漢磊（3707）推出碳化矽（SiC）第三代平面型MOSFET G3方案，此一新技術平台，已通過多家客戶的可靠度測試，並通過車用規範驗證。

　漢磊指出，新一代技術將晶片縮小與降低導通電阻，使客戶能夠有效率地整合元件，提供更小、更節能、更高功率密度的產品，以滿足市場技術最新發展的需求，同時，該技術已與國際IDM大廠能力齊頭並進。

　漢磊總經理劉燦文表示，漢磊研發團隊持續投入新一代製程技術，目前正對客戶開放碳化矽第三代平面型MOSFET技術平台，相較前一代G2，G3降低了元件面積約40％，並改善導通電阻（Ronsp）30％，滿足客戶對技術提升與高效的需求，並增加更多國際IDM客戶合作商機。

　漢磊深耕化合物半導體技術長達10年，其技術可應用在最先進太陽能逆變器、儲能系統、尖端EV車用模組，及AI高效能算力伺服器等。2024年上半年，短期終端需求仍面臨庫存調整壓力，漢磊預期在通膨逐漸獲得控制下，終端需求將逐步復甦。

　展望後市，漢磊樂觀看待化合物半導體發展，在節能減碳趨勢下，半導體綠能、電動車及未來AI伺服器的長期成長，必將擴大化合物半導體功率元件需求。法人推估，漢磊至2024年第四季，氮化鎵（GaN）月產能達2,000片（與2022年底差異不大），SiC4吋月產能達1,100片（2022年底差異不大），6吋為4,000片（2022年底為1,000片），針對6吋SiC做擴產。