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20240708李娟萍/台北報導

漢磊MOSFET G3方案 通過客戶驗證

 漢磊(3707)推出碳化矽(SiC)第三代平面型MOSFET G3方案,此一新技術平台,已通過多家客戶的可靠度測試,並通過車用規範驗證。

 漢磊指出,新一代技術將晶片縮小與降低導通電阻,使客戶能夠有效率地整合元件,提供更小、更節能、更高功率密度的產品,以滿足市場技術最新發展的需求,同時,該技術已與國際IDM大廠能力齊頭並進。

 漢磊總經理劉燦文表示,漢磊研發團隊持續投入新一代製程技術,目前正對客戶開放碳化矽第三代平面型MOSFET技術平台,相較前一代G2,G3降低了元件面積約40%,並改善導通電阻(Ronsp)30%,滿足客戶對技術提升與高效的需求,並增加更多國際IDM客戶合作商機。

 漢磊深耕化合物半導體技術長達10年,其技術可應用在最先進太陽能逆變器、儲能系統、尖端EV車用模組,及AI高效能算力伺服器等。2024年上半年,短期終端需求仍面臨庫存調整壓力,漢磊預期在通膨逐漸獲得控制下,終端需求將逐步復甦。

 展望後市,漢磊樂觀看待化合物半導體發展,在節能減碳趨勢下,半導體綠能、電動車及未來AI伺服器的長期成長,必將擴大化合物半導體功率元件需求。法人推估,漢磊至2024年第四季,氮化鎵(GaN)月產能達2,000片(與2022年底差異不大),SiC4吋月產能達1,100片(2022年底差異不大),6吋為4,000片(2022年底為1,000片),針對6吋SiC做擴產。