傳華為攜武漢新芯 開發HBM晶片

　在AI（人工智慧）熱潮下，高頻寬記憶體（HBM）受到追捧。港媒報導，中國資通訊設備商華為正與武漢新芯合作開發HBM晶片。華為還傳出與江蘇長電科技、通富微電子合作，主要負責開發晶圓封裝和CoWoS技術。

　綜合外媒報導，武漢新芯成立於2006年4月21日，控股大股東即為今年初被美國政府列入黑名單的長江存儲。武漢新芯專注於NOR Flash儲存晶片，擁有華中地區首條12吋積體電路生產線項目。

　今年3月，武漢新芯把目光投向HBM，公布產線建設招標案，將打造更高容量、更大頻寬、更小功耗和更高生產效率的國產HBM產品，擬新增16台設備，達到月產能3,000片12吋晶圓。兩個月後，武漢新芯在湖北證監局披露IPO輔導備案報告。

　在美國政府對中國半導體、AI的技術限制下，中國持續強化晶片研發技術，積極突圍，盼達到晶片自主。

　雖然中國仍處於HBM晶片開發的早期階段，但相關進展廣受市場關注。

　市場4月間傳出，以華為為首的一批中國企業正尋求在2026年提高HBM晶片的國內產量。5月份，中國記憶體晶片巨頭長鑫存儲傳出，已與通富微電子合作開發HBM試片，部份客戶甚至已看過這些高階晶片。

　針對與武漢新芯等企業合作開發HBM晶片的傳聞，華為日前闢謠，否認上述合作關係。武漢新芯則透過其代理商發聲明表示，尚未與華為合作開發HBM晶片。