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20240608楊晴安/綜合報導

六大行下重本 挺大基金三期

合計出資人民幣1,140億元;主要是推動材料、設備、晶片等核心技術國產化替代進程

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綜合外媒7日報導,大陸大基金三期於今年5月24日成立,註冊資本達人民幣(下同)3,440億元,規模高於一期和二期的總和。圖/新華社
大陸六大行參與投資大基金三期

 美中科技戰持續延燒下,大陸面對美國偕同盟友嚴加圍堵,為積極追趕技術差距,決定加大投資突圍。最新消息傳出,大陸歷來規模最大的半導體基金「國家集成電路產業投資基金」(簡稱大基金)三期,最終籌資規模預計超過最初披露的475億美元,目標是建立自給自足的半導體產業。

 綜合外媒7日報導,大陸大基金三期於今年5月24日成立,註冊資本達人民幣(下同)3,440億元,規模高於一期和二期的總和。股東除了大陸財政部、政策性銀行及地方國資等一、二期班底外,三期還加入六家大陸國有大行。大陸金融監管總局7日公布,六大行合計認繳出資1,140億元,占比為33.14%。

 外媒引述大基金的投資決策委員會委員李珂表示,大基金過去兩期的投資年限都是5年,第3期是10年到位,說不定會有「3.5期」。

 李珂指出,更多大陸政府支持的公司可能會加入投資者的行列,由於目前大陸產業尚有「卡脖子」領域,因此在10年窗口期可能會注入更多資金。

 作為大陸國家戰略性投資措施,中信建投證券7日公布報告顯示,大基金第三期是大陸推展半導體行業的一次重大措施,將為半導體行業帶來更多的資金投入和研發動力,主要是推動材料、設備、晶片等核心技術國產化替代進程,隨著大陸晶片技術的不斷突破和發展,相關產業鏈將迎來新的增長機遇。

 報告指出,大基金三期投資可能注入的方向,預期將延續前兩期的重點,包括扶持半導體產業鏈中國產化率較低的環節,尤其是仍處於「卡脖子」的環節。其中,包括曝光機、量/檢測設備、塗膠顯影設備、離子注入設備領域等設備方面;以及大尺寸矽片、光阻劑、濺射靶材、電子特氣和拋光等材料方面。

 另外,大基金三期投入領域還將關注前瞻性支持具有戰略性意義的前沿方向,如高頻寬記憶體(HBM)、人工智慧(AI)晶片、先進製造與先進封裝,目前相關領域大陸廠商大部分還處於中低端發展階段,可望成為大基金三期的投資重點。