美光 赴日建先進DRAM廠

　美光獲得日本政府半導體補助後，近日宣布將在日本廣島縣投資6,000億至8,000億日圓（約38億至51億美元），興建一座採用極紫外光（EUV）微影製程的先進DRAM晶片廠，最快2026年初動工，2027年底開始營運。

　美光先前就曾打算在日本增設新廠，最初預定日本新廠在今年之前開始營運，明年之前開始生產先進DRAM晶片，同時進行高頻寬記憶體（HBM）晶片研發，但前兩年記憶體晶片市況低迷讓日本建廠計畫喊卡，直到近日才重啟計畫。

　日本過去曾是全球半導體產業領導國家，但近年其他國家半導體產業快速成長，讓日本漸失領導地位。近來地緣政治動盪不斷及AI浪潮崛起令各國更加重視半導體產業發展，紛紛祭出龐大產業補助吸引企業投資。

　日本經濟產業省在去年修正半導體及數位產業發展策略後，目標讓日本半導體產業營收在2030年前倍增至15兆日圓。為實現這個目標，日本政府在過去三年已投入3.9兆日圓補助半導體業，占國內生產毛額（GDP）比重約0.71％，超越歐美各國比重，顯示重振半導體產業的決心。

　以美光這回投資廣島設廠為例，日本政府將提供1,920億日圓補助，其中1,670億日圓直接補助先進DRAM生產，占美光對廣島廠生產線投資額的三分之一。日本政府將其餘250億日圓補助款用來協助美光推動新一代晶片研發，占美光廣島廠研發經費的二分之一。

　日本政府補助可望創造雙贏局面，一方面協助美光在全球記憶體市場提高競爭力，另一方面也能強化日本半導體供應鏈，並為國內創造更多就業機會。