南亞科29日舉行股東常會,董事長吳嘉昭及總經理李培瑛雙雙按讚AI應用,將帶動記憶體容量大增,將帶動產業市況及南亞科業績逐季好轉。
吳嘉昭在致詞時指出,2023年的DRAM市場,因全球經濟景氣循環、地緣政治、中美貿易衝突等影響,短期間成長受阻,但DRAM是人類進入智慧世代,使所有電子產品智慧化的關鍵零組件,隨著5G及AI的發展,將持續帶動DRAM的增長。
他預期,2024年DRAM出貨到伺服器、手機與筆電等終端應用市場,都將呈現成長。
李培瑛在股東會後受訪時則表示,生成式AI帶動高頻寬記憶體(HBM)高速成長,三星、SK海力士及美光三大原廠,集中資源轉進HBM領域,但因HBM良率不高,排擠到一般型DRAM產能。
因此,在DRAM供給有限,市場需求回溫下,帶動DRAM價格,自2023年第四季起持續往上,記憶體整體產業往正面發展,李培瑛樂觀看待南亞科2024下半年業績將會逐季改善。
南亞科2024年的重點,是陸續推出以10奈米第二世代(1B)製程技術,量產的三顆新產品,目前正在試產,以擴大產品線、貢獻營收。
■高容量模組 瞄準伺服器需求
另設計開發中的則有四顆產品,包括16Gb DDR5的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5及4Gb DDR3,將逐步進入試產。
此外,2024年南亞科將同步開發矽穿孔(TSV)製程技術,未來結合DDR5微縮版與TSV製程,做成高容量DRAM模組,以供應伺服器市場需求。
而使用10奈米第三世代(1C)製程技術的第一顆產品16Gb DDR5,預計在2024年底完成設計,2025年初進入試產,南亞科新品將密集上市,迎來AI新商機。
南亞科另與比利時研發中心(IMEC)合作開發極紫外光(EUV)製程,為更先進的製程預做準備。
惟4月3日台灣發生七級大地震,扣除保險後,南亞科仍受到晶圓報廢、設備維修及停產等造成額外費用的影響,預期第二季財務績效仍有壓力,本業在第三季較有機會獲利。