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20240508李娟萍/台北報導

記憶體合約價 Q2同步上修

DRAM將上調13~18%;NAND Flash看漲15~20%

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圖/美聯社

記憶體價格紅不讓,TrendForce最新預估,第二季DRAM合約價季漲幅,將上修至13%~18%;NAND Flash合約價季漲幅,同步上修至約15%~20%。全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小,約10%。

在4月3日地震前,TrendForce預估,第二季DRAM合約價季漲幅約3%~8%;NAND Flash為13%~18%,相較第一季漲幅收斂。

TrendForce指出,當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出,現貨價已連續走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。

究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智慧型手機的需求尚未有復甦跡象,買方在手庫存逐漸增高,又以PC OEM為最。

 同時,DRAM及NAND Flash至今已分別續漲二~三個季度,買方再接受大幅漲價的意願消退。

但在4月3日七級地震後,市場零星傳出,有PC OEM供應商出於特殊考量,接受高昂的DRAM及NAND Flash合約價漲幅,但僅是零星成交案件。

 至4月下旬,相關業者陸續完成新一輪合約價議價後,漲幅較原先預期擴大,TrendForce因而上修第二季DRAM、NAND Flash合約價漲幅預測,除了反映買方欲支撐在手庫存的價值,更包含供需兩端對AI市場展望的考量。

TrendForce表示,由於原廠擔憂後續有HBM產能排擠效應,以三星(Samsung)來看,HBM3e產品採用1alpha製程節點,至2024年底將占用1alpha製程產能約六成,進一步排擠DDR5供給量,尤其以第三季HBM3e生產即將放量的時間點影響最大。

經評估後,買方轉而願意第二季提前備貨,因應第三季起可能出現HBM供應短缺。

同時,隨著節能成為AI推論伺服器(AI Inference Server)優先考量,北美雲端服務業者(CSP)擴大採用QLC Enterprise SSD作為存儲的解決方案,帶動QLC Enterprise SSD需求,並加速部分供應商的庫存去化,推動部分供應商出現惜售心態。

值得注意的是,受限於消費性產品需求復甦情況不明朗,原廠普遍對於非HBM晶圓產能的資本支出趨於保守,尤其是價格處於損益平衡點的NAND Flash,致NAND Flash供給仍小於需求。