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20240408鄭勝得/綜合外電報導

德州晶片廠投資倍增 三星加碼至440億美元

 外媒引述消息報導,三星電子計畫將美國德州半導體投資金額增加逾一倍至440億美元。韓國SK海力士(SK Hynix)也將在印第安那州投資38.7億美元興建一座先進晶片封裝廠。這顯示出,美國力拚本土製造更多先進晶片的努力取得重大進展。

 消息人士透露,三星新投資案將集中於德州奧斯汀附近(Austin)的泰勒市(Taylor),包含一座新的晶片製造工廠,以及一座先進封裝與研發設施,建廠成本分別為逾200億美元與40億美元。

 三星婉拒評論此事,美國商務部則表示不方便談論特定項目計畫。但據知情人士透露,三星預計4月15日在泰勒市當地召開記者會宣布此消息。

 三星2021年承諾斥資170億美元在泰勒市興建一座晶片工廠,這次是在此基礎上追加投資。首座晶圓廠於2022年動工,最快今年開始量產。

 消息人士表示,受到通膨等因素的影響,首座晶片廠的建造成本增加數十億美元。兩座晶圓廠的具體投資金額將依情況有所改變。

 為了重拾半導體製造實力,美國通過規模530億美元的晶片法案,成功吸引各國半導體業者赴美投資設廠。

 三星與美國商務部的談判仍在進行當中,前者預估可獲得數十億美元的補助,能夠協助其在德州的擴建計畫。先前傳出,三星可能獲得至少60億美元補助,高於台積電取得的逾50億美元。

 SK海力士也正加緊腳步擴大高頻寬記憶體(HBM)產能,日前宣布將在印第安那州興建一座先進晶片封裝廠,預計2028年下半年量產。