德州晶片廠投資倍增 三星加碼至440億美元

　外媒引述消息報導，三星電子計畫將美國德州半導體投資金額增加逾一倍至440億美元。韓國SK海力士（SK Hynix）也將在印第安那州投資38.7億美元興建一座先進晶片封裝廠。這顯示出，美國力拚本土製造更多先進晶片的努力取得重大進展。

　消息人士透露，三星新投資案將集中於德州奧斯汀附近（Austin）的泰勒市（Taylor），包含一座新的晶片製造工廠，以及一座先進封裝與研發設施，建廠成本分別為逾200億美元與40億美元。

　三星婉拒評論此事，美國商務部則表示不方便談論特定項目計畫。但據知情人士透露，三星預計4月15日在泰勒市當地召開記者會宣布此消息。

　三星2021年承諾斥資170億美元在泰勒市興建一座晶片工廠，這次是在此基礎上追加投資。首座晶圓廠於2022年動工，最快今年開始量產。

　消息人士表示，受到通膨等因素的影響，首座晶片廠的建造成本增加數十億美元。兩座晶圓廠的具體投資金額將依情況有所改變。

　為了重拾半導體製造實力，美國通過規模530億美元的晶片法案，成功吸引各國半導體業者赴美投資設廠。

　三星與美國商務部的談判仍在進行當中，前者預估可獲得數十億美元的補助，能夠協助其在德州的擴建計畫。先前傳出，三星可能獲得至少60億美元補助，高於台積電取得的逾50億美元。

　SK海力士也正加緊腳步擴大高頻寬記憶體（HBM）產能，日前宣布將在印第安那州興建一座先進晶片封裝廠，預計2028年下半年量產。