攜三星突破20奈米門檻 意法推18奈米微控制器

　意法半導體（ST）27日宣布聯手三星突破20奈米技術屏障，共同研發18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體（FD-SOI）技術，並整合嵌入式相變記憶體（ePCM）的先進製程，使下一代嵌入式處理器能夠大幅提升性能和降低功耗；搭載新技術的首款下一代STM32微控制器產品，將於2024下半年開始提供部分客戶樣片，並預計於2025年下半年排產。

　意法半導體指出，高處理效能和大儲存容量驅使目前正在使用微處理器開發產品的開發者，轉向整合度更高且更具成本效益的微控制器。為此，該公司與三星晶圓代工廠攜手，開發新技術提升超低功耗裝置的效能。據悉，新製程能使下世代微處理器整合容量更大的記憶體和更多的類比和數位外部周邊，提升成本競爭力；且該技術能夠在3V電壓下運行，可為類比功能提供電源，例如電源管理、重置系統、時鐘源和數位/類比轉換器等，是20奈米以下唯一支援此功能的半導體製程技術。

　意法半導體進一步說明，相較於目前所用的40奈米嵌入式非易失性記憶體（eNVM）技術，新製程技術具備許多優勢，像是性能功耗比提升50％以上；數位電路密度是現有技術三倍，可整合AI、圖形加速器等數位外部周邊及最先進的安全保護功能；以及非易失性記憶體（NVM）密度是現有技術2.5倍，可在晶片上整合容量更大的記憶體等。同時，該技術的耐高溫運作、輻射硬化和資料保存期限已經過車用市場的檢驗，能夠滿足工業應用對可靠性的嚴格需求。

　意法半導體透露，搭載新技術的首款下一代STM32微控制器產品，將整合ARM先進的Cortex M內核心，為機器學習和數位訊號處理應用帶來更強的運算能力；而新一代產品預計於今年下半年開始客戶提供樣品，並於2025年下半年排產。