英飛凌SiC新技術 強化電動車充電效率

　為實現更高能源轉換效率，英飛凌宣布推出新一代碳化矽（SiC）MOSFET溝槽式技術。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiC MOSFET Generation 2（G2）技術在確保品質和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高20％，不僅提升整體能效，更進一步推動低碳化進程。

　與前幾代產品相比，採用新一代CoolSiC的電動汽車直流快速充電站最高可減少10％的功率損耗，並且在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率，以進一步增加電動汽車的續航里程。

　而在再生能源領域，採用新技術的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，進而降低每瓦成本。

　英飛凌指出，透過高效的方式來產生、傳輸及消耗能源已是目前趨勢，為此，英飛凌開發新一代SiC MOSFET溝槽式技術，使廠商能夠更快地設計出成本更低、結構更精簡、性能更可靠，且效率更高的系統，以滿足光伏、儲能、直流電動汽車充電、馬達驅動和工業電源等功率半導體應用領域。

　英飛凌持續拓展化合物半導體布局，除了強化其在SiC的技術發展之外，日前也宣布與太陽能系統開發商Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。

　在採用GaN電晶體後，Worksport可攜式發電站的功率轉換器將變得更輕、更小，系統成本也將隨之降低。

　另外，為進一步提升成長動能，英飛凌也調整組織結構，其業務團隊圍繞三個以客戶為中心的業務領域進行架構，分別為汽車業務、工業與基礎設施業務，以及消費、計算與通訊業務；新的組織架構以客戶的應用需求為中心，已於全球施行同時優化區域布局。