AI帶動需求 HBM供給位元年增估衝260%

　TrendForce預估，截至2024年底，整體DRAM產業規劃生產高頻寬記憶體（HBM）、含矽穿孔（TSV）的產能，每月約為25萬片，占總DRAM產能每月180萬片的14％，供給位元年成長約260％。

　產業界人士指出，AI帶動HBM需求，隨著資料中心基礎建設營運業者，將採購對象從傳統伺服器轉向AI伺服器，晶片設計客戶面對強勁市場需求，陸續宣布GPU與AI加速器ASIC產品開發計畫，對於HBM在容量、效能與功耗等方面的要求，也愈來愈高。

TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，也由於HBM售價高昂、獲利高，已帶動DRAM廠紛紛擴大資本支出投資。

因HBM產能增加，2023年HBM產值占DRAM整體產業約8.4％，至2024年底將擴大至20.1％。

　吳雅婷表示，以HBM及DDR5生產差異來看，其晶粒尺寸（Die Size）大致上較DDR5同製程與同容量（例如24Gb對比24Gb）尺寸大35～45％；良率（包含TSV封裝良率），則比起DDR5低約20～30％；生產周期（包含TSV）較DDR5多1.5～2個月不等。

　由於HBM生產周期較DDR5更長，至投片到產出與封裝完成需要兩個季度以上。因此，急欲取得充足供貨的買家，需要更早鎖定訂單量。

　據TrendForce了解，大部分針對2024年度的訂單，都已經遞交給供應商，除非有驗證無法通過的情況，否則目前來看這些訂單量均無法取消（non-cancellable）。

　TrendForce觀察，以HBM產能來看，三星、SK海力士至2024年底的HBM產能規劃最積極，三星HBM總產能至年底將達約13萬片（含TSV）；SK海力士約12萬片，但產能會依據驗證進度與客戶訂單持續而有變化。另以現階段主流產品HBM3產品市占率來看，目前SK海力士於HBM3市場比重逾9成，而三星將隨著後續數個季度超微（AMD）MI300逐季放量，持續緊追在後。