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20240319李娟萍/台北報導

AI帶動需求 HBM供給位元年增估衝260%

TrendForce:2024年產能將占DRAM產業14%

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2022~2024 HBM占DRAM產業產值比重預估

 TrendForce預估,截至2024年底,整體DRAM產業規劃生產高頻寬記憶體(HBM)、含矽穿孔(TSV)的產能,每月約為25萬片,占總DRAM產能每月180萬片的14%,供給位元年成長約260%。

 產業界人士指出,AI帶動HBM需求,隨著資料中心基礎建設營運業者,將採購對象從傳統伺服器轉向AI伺服器,晶片設計客戶面對強勁市場需求,陸續宣布GPU與AI加速器ASIC產品開發計畫,對於HBM在容量、效能與功耗等方面的要求,也愈來愈高。

TrendForce資深研究副總吳雅婷指出,也由於HBM售價高昂、獲利高,已帶動DRAM廠紛紛擴大資本支出投資。

因HBM產能增加,2023年HBM產值占DRAM整體產業約8.4%,至2024年底將擴大至20.1%。

 吳雅婷表示,以HBM及DDR5生產差異來看,其晶粒尺寸(Die Size)大致上較DDR5同製程與同容量(例如24Gb對比24Gb)尺寸大35~45%;良率(包含TSV封裝良率),則比起DDR5低約20~30%;生產周期(包含TSV)較DDR5多1.5~2個月不等。

 由於HBM生產周期較DDR5更長,至投片到產出與封裝完成需要兩個季度以上。因此,急欲取得充足供貨的買家,需要更早鎖定訂單量。

 據TrendForce了解,大部分針對2024年度的訂單,都已經遞交給供應商,除非有驗證無法通過的情況,否則目前來看這些訂單量均無法取消(non-cancellable)。

 TrendForce觀察,以HBM產能來看,三星、SK海力士至2024年底的HBM產能規劃最積極,三星HBM總產能至年底將達約13萬片(含TSV);SK海力士約12萬片,但產能會依據驗證進度與客戶訂單持續而有變化。另以現階段主流產品HBM3產品市占率來看,目前SK海力士於HBM3市場比重逾9成,而三星將隨著後續數個季度超微(AMD)MI300逐季放量,持續緊追在後。