繼2月搶先量產HBM3E晶片 美光獲輝達H200訂單

　韓媒《中央日報》報導，2024年2月美光（Micron）領先業界開始量產最新高頻寬記憶體HBM3E後，近日已搶下輝達H200 AI GPU訂單，震驚三星電子及SK海力士兩大韓國對手。

　據了解，輝達即將推出的H200處理器將採用最新HBM3E晶片，比H100處理器採用的HBM3晶片更強大。

　《中央日報》報導，美光之所以搶下H200訂單是因為美光HBM3E晶片採用的1b奈米技術相當於12奈米技術，與SK海力士生產HBM晶片採用的技術同等級。相較之下，三星電子目前採用的1a奈米技術相當於14奈米技術，落後美光及SK海力士。

　晶片產業專家Jeon In-Seong表示：「事實證明美光製造技術比三星更先進，因為美光的HBM3E晶片是採用1b奈米技術。雖然美光HBM3E晶片在封裝上仍有改善空間，但與當初在1b奈米技術上遇到的挑戰比起來更好解決。」

　業界認為美光HBM3E晶片之所以能搶下輝達訂單，是因為該晶片在性能、節能效率及無縫擴充性等三方面都表現優異。

　首先，美光HBM3E晶片引腳速度超過9.2 Gb/s，記憶體頻寬超過1.2 TB/s，能讓AI加速器、超級電腦及資料中心快速存取資料。再者，HBM3E晶片的功耗比市面上其他競爭產品減少30％。在AI應用需求快速擴大之際，美光HBM3E能以最低功耗提供最大吞吐量，提升資料中心營運經濟。

　第三，美光HBM3E擁有24GB容量，有助資料中心無縫擴充AI應用，也有足夠頻寬支援大規模神經網路並加速執行推論任務。