微矽電 新廠H2貢獻營運

　微矽電子-創（8162）以每股35元於7日正式掛牌上市，股價最高來到48.5元，蜜月行情首日股價漲幅達到38.5％，微矽電子董事長張秉堂表示，隨著節能趨勢成形，各家積極投入氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）等第三代半導體解決方案，公司也啟動擴產計畫，新建廠房預計下半年貢獻營運，可望推升未來營運成長。

　張秉堂指出，與傳統的矽基半導體相比，第三代半導體具有更高的耐壓、耐熱、耐輻射等特性，在快速充電器、AI伺服器、無人機、家電、5G通訊、電動車、太陽能、風電、儲能系統等領域具有絕佳的應用前景，微矽電深耕第三代半導體領域多年，具備GaN與SiC晶圓測試的技術與經驗，並已取得多家晶圓廠與IC設計公司的認證。

　張秉堂表示，公司在2014年即切入GaN晶圓測試領域，具有多年GaN及SiC晶圓測試領域之開發經驗，其中GaN亦與國內外多家晶圓廠與IC設計公司合作開發測試，並已累積相當的銷售實績，對於GaN的材料特性與元件特性，可以充分掌握，未來隨著終端產品對GaN的需求成長，微矽電子可快速導入量產，帶動未來成長契機。

　此外，未來隨著車用市場對SiC之功率元件需求提升，微矽電子亦可藉由多年與SiC客戶長期合作，累積開發驗證與量產經驗，取得國際車用大廠之認證，藉此跨入高規格車用市場領域，成為帶動未來營收成長之另一契機。

　張秉堂指出，除了技術領先同業外，公司也持續強化製程管理與提升產能利用率，並加強控管生產成本，及在生產技術與先進測試技術上持續進行精進與改良，以增加產品價格競爭力，使產能得到充分且穩定的利用。