供輝達HBM良率低 美韓大廠傷神

　韓國媒體DealSite報導，輝達（NVIDIA）AI處理器需求爆量讓高頻寬記憶體（HBM）成為記憶體大廠爭相發展的新產品，但HBM的複雜架構導致良率偏低，難以通過輝達測試標準，令外界擔憂產能因此受限。

　良率是半導體大廠長期面對的課題，因為良率高低攸關一片晶圓產出的晶片數量，因此台積電及三星電子等晶圓代工業者一直將提升良率視為首要目標。如今隨著AI處理器需求快速擴大，記憶體晶片大廠也開始為良率問題感到頭痛。

　DealSite報導，近日SK海力士及美光為了讓HBM晶片通過輝達高品質測試門檻，已經吃足苦頭。HBM晶片良率之所以低於傳統記憶體晶片，是因為複雜的堆疊架構牽涉多重記憶體階層及連接各層晶片的直通矽晶穿孔（TSV）技術，相對提高製造難度。

　在HBM的多層堆疊架構下，只要有其中的一片晶片出現瑕疵，就會導致整個封裝報廢。內情人士透露，目前HBM整體良率約在65％。業者在試圖提升良率的過程中，產量勢必會先減少，而如何在良率與產量之間取得平衡正是SK海力士及美光面臨的最大難題。

　美光在今年2月宣布開始為輝達H200 AI處理器生產HBM3E晶片，成為SK海力士以外另一家輝達記憶體供應商。SK海力士也不甘示弱，宣稱今年旗下HBM晶片全部售罄，將提前開始為明年產能做準備。

　SK海力士先前公布去年第四季轉虧為盈時曾表示，該公司在AI記憶體領域的領導技術是促成去年底恢復獲利的最大功臣。SK海力士HBM3晶片生產進度超前對手，率先成為輝達上游供應商。SK海力士財務長金祐賢甚至宣稱，未來SK海力士將徹底成為一家AI記憶體晶片大廠。