全球電源管理領導廠商台達子公司碇基半導體(Ancora Semiconductor Inc.),宣布最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體,通過一系列嚴格的DMTBF(Demonstrated Mean Time Between Failures)測試。
此一測試,已驗證碇基獨有的雙面散熱元件FET-E6007PD020,其專利雙面散熱結構能有效地分離電氣和熱,進一步解決高功率產品的熱導問題,在20萬小時的長時間運作下,仍能維持優越效能,突顯其產品的高信賴性與可靠度。
碇基的產品,已應用於台達和威剛合作開發的鈦金級電源供應器XPG FUSION 1600W上。這次聯手台達及威剛,進一步滿足了客戶對高效能電源的需求,提供更可靠的解決方案。
碇基總經理邢泰剛博士表示,寬能隙半導體GaN元件的應用,為電力電子帶來了革命性的突破。運用GaN優異的物理特性,能夠實現高效能和小型化。除了此款650V雙面散熱的GaN元件FET-E6007PD020,碇基半導體將持續拓展產品線,提供更多樣化的氮化鎵元件,以滿足不同的設計需求。
台達電源及系統事業群總經理陳盈源指出,DMTBF測試結果證明了碇基產品的可靠性和穩定性,可實現更高的功率密度和更強大的節能效果。期待碇基推出更多產品,持續加速雙邊在高功率電源供應器的合作,為全球客戶提供更優質的產品和服務。
碇基這款產品,易於實現頂部散熱應用,同時具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。
此外,特殊的封裝結構可減少寄生電感,提高電源產品的效率,在高效能、高密度、高頻率和溫度控制方面表現更出色。
此系列產品各項表現,更能滿足於伺服器、AI人工智慧、高效能運算、醫療、網通等先進應用。碇基在氮化鎵功率半導體領域擁有15年以上的專業經驗,全球已累積超過200件高價值專利。
多年來,與台積電、羅姆半導體(ROHM Co., Ltd)等業界領導公司緊密的合作,致力於為客戶提供優質的寬能隙半導體解決方案。