海力士HBM4記憶體 2026量產

　日前在首爾舉行的「SEMICON 韓國2024（韓國國際半導體展）」會場上，全球記憶體晶片大廠SK海力士副總裁Chun-hwan Kim透露，該公司的HBM3（高頻寬記憶體）3E已經量產，並計劃在2026年開始大規模生產HBM4。

　在AI浪潮推動與中國需求帶動下，韓國產業通商資源部日前公布，2024年韓國半導體產品出口出現回溫，1月份出口額約94億美元，年增56.2％，創73個月以來最大增幅。韓媒並披露，SK海力士將在美國印第安那州建立先進封裝工廠，以滿足輝達（NVIDIA）等美企的需求。

　據韓國商報報導，Chun-hwan Kim稱，目前SK海力士的HBM3記憶體晶片已經量產，並擬在2026年開始大規模生產HBM4。他表示，隨著AI運算時代的到來，生成式AI正迅速發展，市場預計將以每年35％的速度增長。而生成式AI市場的快速增長需要大量更高性能的AI晶片來支援，這也將進一步推動更高頻寬的記憶體晶片的需求。

　早在2023年8月21日，SK海力士就宣布其開發出的HBM3e DRAM已經提供給輝達和其他客戶評估，並計劃在2024年上半年量產，以鞏固其在AI記憶體市場的領導地位。

　報導稱，隨著AI和高性能計算（HPC）行業的需求持續增長，因此具有2048位元界面的下一代HBM4記憶體，成為各家記憶體大廠衝刺的重點。Chun-hwan Kim表示，除了向下一代轉型之外，重要的是要認識到HBM行業面臨著巨大的需求。到2025年，HBM市場預計將增長40％，SK海力士已儘早卡位市場，還將在2026年開始生產HBM4。