力旺獲台積電驗證 搶進HPC

力旺電子（3529）25日宣布，安全強化型一次可編程（OTP）矽智財NeoFuse已於台積電N4P製程完成可靠度驗證。力旺透露，正在與台積電進行N5A製程，主攻汽車應用之OTP解決方案，預估第一季就會有好消息；另外N3P的開發也持續進行中，預期在2024第一季完成設計定案（Tape-out）。

力旺業務發展副總經理盧俊宏指出，N4P里程碑將為高效能運算（HPC）、AI、雲端伺服器等應用帶來更強大且更彈性的NVM（非揮發性記憶體）技術；力旺12吋NeoFuse積累多年，去年台積電N7已進入量產，在N4P完成矽驗證之後，法人預估，最快將於今年進入量產貢獻營收。

　力旺指出，NeoFuse OTP為高效、可靠、安全的可一次編寫NVM矽智財嵌入式方案，強化資料保護、並為IC定錨信任根至硬體層。在工作規格方面，溫度耐受表現高達攝氏150度，滿足車載應用之標準規格，工作電壓範圍更加寬廣。

另先進製程開發持續推進，N4P也將提供HPC、AI伺服器強化的安全解決方案。盧俊宏強調，力旺將透過領先的NVM技術，滿足雙方客戶之需求。

　力旺12吋NeoFuse權利金累積多年，產品迭代之下16/12/7奈米的設計定案合計超過70個，陸續進入量產、堆疊產生權利金營收、帶動成長動能。

　法人指出，力旺台積電7奈米應用甫於去年底進入量產，未來將有更多公司採用N7新應用，5奈米N4P也加速通過晶圓代工龍頭之矽驗證，以台積電AI領導地位，將有望有更多業者採用力旺IP安全解決方案。

法人表示，除了台積電授權之外，力旺於去年也取得聯電、美系晶圓廠之各類型IP矽驗證，布局AIoT和行動通訊市場等低功耗記憶體解決方案，加深產品廣度、多元化營收來源；此外，特殊製程如BCD、embedded flash及emerging memory RRAM／MRAM將會持續往更先進的製程開發，帶動更多的應用以及每片權利金持續成長。