英特爾卡位半導體「埃米時代」布局成形,該公司為迎戰台積電,25日與聯電宣布攜手,將合作開發12奈米製程平台,並拍板於亞利桑那州開發、製造,預計2027年投產,聯電成為第二家前往美國亞利桑那布局的台灣晶圓代工廠。聯電ADR早盤大漲2.26%。
英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務(IFS)總經理Stuart Pann表示,與聯電的策略合作展示了英特爾對台灣生態系的承諾,也是實現英特爾在2030年成為全球第二大晶圓代工廠重要一步。
外傳英特爾此次再找上聯電技轉12奈米Arm架構,為聯合次要敵人打擊主要敵人的手法,將成熟製程委由聯電代工,全力搶攻高階製程技術,達到英特爾總裁基辛格「彎道超車」台積電的目標。
供應鏈對此表示,英特爾可能正在為晶圓代工業務做完全拆分鋪路,率先尋找各項IP技術授權及因應成長需求預先準備。
新製程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造,透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資,並最佳化利用率。
外傳本次聯盟的授權金上看100億元以上,聯電的海外布局再增美國新廠區,可望擠進全球晶圓代工大廠之林,2027年後營運將三級跳。
聯電表示,此項12奈米製程將善用英特爾於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗,提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。受惠於聯電在製程上的領導地位,以及為客戶提供PDK及設計支援方面的數十年經驗,得以更有效地提供晶圓代工服務。
雙方將透過生態系合作夥伴提供的電子設計自動化(EDA)和智慧財產權(IP)解決方案,合作支援12奈米製程的設計實現(design enablement)。此12奈米製程預計在2027年投入生產。
英特爾Stuart Pann表示,隨著英特爾推動企業轉型、落實IDM 2.0和四年五個節點的策略,我們持續探索與台灣公司合作的新機會。與聯電的策略合作,是實現英特爾在2030年成為全球第二大晶圓代工廠重要一步。
聯電共同總經理王石也表示,聯電與英特爾進行在美國製造的12 奈米FinFET製程合作,是追求具成本效益的產能擴張,和技術節點升級策略的重要一環,這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點,並利用雙方的互補優勢,以擴大潛在市場,同時大幅加快技術發展時程。
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