提高製程水準 SK海力士傳升級無錫廠

受到半導體市場復甦，以及中國高階半導體製造能力提升影響，部份韓國晶片商擬採取一切可行的方法，提高中國廠的製程水準。韓媒13日報導，韓國晶片巨頭SK海力士計畫2024年把無錫廠的部份DRAM（動態隨機存取記憶體）生產設備，提升至10奈米級第四代製程。

首爾經濟報導，無錫廠是SK海力士的核心生產基地，產量約占其DRAM總產量的40％。無錫廠目前正在生產第二代和第三代DRAM，該產品屬於10奈米後期級別的老產品（傳統）系列。

值得注意的是，美國為阻止中國半導體產業崛起，自2019年起限制製造先進半導體必需的極紫外光（EUV）曝光機出口中國。受此影響，SK海力士想把無錫廠過渡到10奈米級第四代DRAM及更高水準，將是一項挑戰。

報導指出，SK海力士計劃在無錫生產線上完成第四代DRAM的部份製程，然後把晶片運到SK海力士的總部所在地利川園區，應用EUV後，再運回無錫完成整個製程。SK海力士在2013年無錫廠大火期間克服DRAM生產中斷的困難，因此對於上述方法擁有豐富的經驗。

針對無錫廠升級傳聞，SK海力士表示，無法確認工廠的具體營運計畫。

韓聯社報導，中國半導體產業水準迅速提升，已引發市場高度關注。瑞銀集團近期分析，雖然美國正使用各種方式阻止中國半導體崛起，但中國克服這些限制的能力不容小覷。中國企業正在加強對主要半導體製造設備的採購以增加供應。2023年包括荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）在內的國際半導體設備生產商，來自中國的訂單激增。