記憶體廠節制擴產 漲價趨勢不變

　記憶體產業由「去庫存」轉至「補庫存」，加上高頻寬記憶體（HBM）需求大增，記憶體大廠包括三星、SK海力士等稼動率正逐漸恢復；惟記憶體產業的產能擴張在2024年仍屬節制，記憶體報價上漲趨勢不變。

　美光也指出，資料中心需求增長，有助抵銷個人電腦與智慧手機市場復甦緩慢情勢，2024年記憶體市況將復甦、價格回升，2025年進一步上漲，且市場規模將創新高。

　業界人預期，隨市場回溫，台系記憶體族群產業復甦順序，將依序由下游模組廠、上游製造、代工廠到封測廠，業績逐漸回到成長軌道。

　據業界了解，11～12月期間，隨PC及手機補庫存需求延續，SK海力士及威騰分別提升DRAM及 NAND Flash工廠稼動率。

　三星（Samsung）及SK海力士的DRAM及NAND Flash投片量，也預計於第四季恢復至2022年第四季的高峰，但稼動率雖有所提升，產品報價尚未回到成本之上。

　資本支出方面，在第四季期間，產業界出現上修消息的公司，為中國大陸的長鑫存儲及長江存儲。其中，長鑫存儲在獲得美國許可投資19nm DDR3／DDR4後，即積極擴產，預計在2024上半年投放合肥二期及北京二期新廠。

　長江存儲則在美國制裁下，自行研發第二代 128層NAND Flash製程（X2），並培植本土設備供應鏈，預計在2024年重啟擴產。

　另根據研調機構預估，2024年DRAM資本支出將和2023年相當，NAND資本支出則低於2023年約7～9％，並未有大幅擴產現象。

　目前DRAM及NAND設備產能利用率，僅在先前高峰時的75～80％、60～65％，而原廠的資本支出，將主要用於1b／1c nm製程擴充，以及HBM／200L 3D NAND相關需求。

　產業界人士指出，近期記憶體報價趨於穩定，主要是因年末需求減緩，交易行情較為冷清，但各大原廠在虧損下，漲價意圖堅決，因此在未回到成本之上前，預期記憶體報價漲勢趨勢不變。