AMD藉HBM超車 台廠DDR5概念股受惠

　AMD搶攻AI商機，最新發表的MI300X HBM密度為輝達H100的2.4倍，頻寬為H100的1.6倍，性能超越行業先行者；業內人士認為，在Chiplet（小晶片封裝）、HBM（高頻寬記憶體）等領先技術助拳之下，MI300X更有望與輝達H200平分秋色。而HBM3／3e使用DDR5晶圓堆疊，在AI伺服器需求持續強勁之下，供需格局轉佳，台廠DDR5供應鏈可望受惠。

台灣DDR5受惠供應鏈則包含連接器之嘉澤與優群、模組廠威剛及十銓；十銓表示，AI一定會用到更多記憶體，更多的DRAM及更大的存儲SSD需求，樂觀看待明年整體記憶體產業表現；而在明年HBM／DDR5產能比重提升下，亦有利DDR3／4供需轉佳，南亞科、封測廠南茂、力成有望受惠。估計需求逐步止穩、明年上半年合約價逐季向上。

HBM在AI浪潮推動下，與CoWoS成為市場熱議焦點，但鮮為人知首款採用高頻寬記憶體（GPU）的顯卡，卻是2015年由AMD發表之Radeon R9 Fury X，AMD可謂是HBM設計方案的開山鼻祖，手握相當多的HBM技術專利。

HBM為垂直堆疊的DRAM，與DRAM相比提供更快資料傳輸速度，更高的頻寬和更大容量。歷經改良迭代，目前HBM3e為HBM3的擴展（Extended）版本；自SK海力士於今年8月宣布成功開發出HBM3e，三星於上個月亦宣布推出名為「Shinebolt」的HBM3e，對DDR5晶圓需求日漸爆發。

高頻寬記憶體為產業帶來新藍海，HBM3／3e由DDR5晶圓堆疊，明年在PC／Server之DDR5採用度快速上升之下，法人估計，2023～2027年DDR5位元需求年複合成長率達80％。歷經產能供過於求，廠商皆謹慎保守，顆粒廠達損平前，產能增開速度不會太快。