高傳導、低膨脹 格斯 開發奈米級矽碳負極材料

　格斯（6940）攜手中研院、台科大，成功開發出可大量商品化的奈米級矽碳負極材料，團隊透過創新獨特的化學材料碳源，及簡單的水溶液工法，製備高傳導性、低膨脹性的矽碳奈米複合材料，突破過去矽碳負極低電子傳導性、高膨脹率的困境，未來格斯在電芯負極應用發展動向，值得業界關注。

　格斯技術長葉國偉博士表示，新的矽基負極材料較傳統石墨負極理論比容量高，傳統矽基負極受限於較低的電子傳導性及充電時高達三倍的體積膨脹現象，在電池充放電過程中極片易爆裂粉碎剝落，大量商業化面臨很大的挑戰。

　為解決以往矽碳負極實用上的重大挑戰，格斯研發團隊採用常見的染髮劑成份－含氮的對苯二胺作為碳源，並以簡單的水溶液方法製備出矽包碳奈米複合材料。

　而這種矽包碳技術可大幅提升矽基負極材料的電子傳導性，也成功抑制體積膨脹現象，確保高效的鋰離子傳輸。