《台版晶片法案》產官學攻防 研發經費門檻 業界爭折衷版本

　被今年初立院三讀通過稱為「台版晶片法案」《產創條例》第10條之2，由於給予的投資抵減優惠堪稱「史上最大」，因此研發經費、研發密度這兩大門檻成為科技業矚目焦點。據傳，業者們極力爭取可以調降的經費門檻，不排除出現彈性，將以近三年研發費用平均70億元作為折衷，讓在國際競逐的台灣頂尖業者可以適用。

　經濟部官員表示，近期跨部會的會議主要是在討論疫後特別條例，目前條例已經通過，接下來也會開始與財政部進行討論，不過工業局先前提出一個門檻版本供內部參考，但外界對於研發經費、研發密度門檻都還有不少意見，因此建議工業局聆聽業界聲音、繼續進行評估。

　產創條例10條之2已完成三讀，與現行《產創條例》第10條（研發投抵額度是當年度抵減率15％，或分三年抵減率10％，採二擇一）相比，10條之2優惠更大，前瞻研發支出當年度抵減率25％、購置先進設備當年度抵減率5％，且「無投資抵減支出金額上限」，兩抵減各自上限不得超過當年度營所稅30％，兩項合計不得超過50％，施行期間自2023年1月1日起至2029年12月31日落日，預計六個月內要完成子法。

　根據條例規定，要適用產創條例10條之2必須要符合三大適用要件，包括研發費用達一定規模、研發密度達一定規模、有效稅率達一定比率。有效稅率門檻在條例立法時已經獲得共識，也就是2023年應達12％，2024年審酌OECD全球企業最低稅負制情形調整緩衝一年，2025年起一律調整至15％；研發密度據悉也將縮小共識範圍，大約落在5％至6％之間。

　但研發費用這項門檻，卻讓不少業者們搶破頭極力爭取調降。知情人士表示，財政部先前將研發費用門檻擬訂在100億元，只有台積電、聯發科、聯詠等6至7家業者符合條件，「這樣也才符合鞏固國際領先地位的立法意旨」，但包括力積電董事長黃崇仁在內等多家半導體業者，希望門檻能有條件下降至50億元。