在各國將逐步於2025至2050年全面禁售燃油車的趨勢下,將加速全球電動車銷售與拉抬SiC及GaN元件及模組市占,此外,能源轉換需求及5G通訊等終端應用快速增長,驅使第三代半導體市場熱度不減,進而帶動第三代半導體所需SiC及Si基板(Substrate)銷量暢旺。然由於現行基板於生產及研發上相對受限,迫使目前可穩定供貨的SiC及GaN晶圓仍侷限於6吋大小,使得Foundry及IDM廠產能長期處於供不應求態勢。
對此,基板供應商如Cree、II-VI及Qromis等計畫將於2022年擴增產能並提升SiC及GaN晶圓面積至8吋,期望逐漸緩解第三代半導體市場缺口。另一方面,Foundry廠如台積電與世界先進(VIS)試圖切入GaN on Si 8吋晶圓製造,以及IDM大廠如英飛凌(Infineon)將發表新一代Infineon Trench SiC元件節能架構,而通訊業者Qorvo也針對國防領域提出全新GaN MMIC銅覆晶(Copper Flip
Chip)封裝結構。