英特爾買最強EUV 強碰台積電

　半導體邏輯先進製程將在2024年後進入2奈米世代，後續製程推進將開始進入埃米（angstorm）時代，為了支援台積電、英特爾、三星等半導體廠的製程延續，微影設備大廠艾司摩爾（ASML）已投入研發更高精準度的高數值孔徑（High-NA）曝光設備，英特爾成為首家下訂客戶，預期2025年進入量產，而台積電將跟進下訂。

　■台積電將跟進下訂

　英特爾19日宣布，向ASML下訂業界首台High-NA量產型EUV曝光機EXE:5200，2025年進入生產。設備業界指出，台積電早已向ASML採購High-NA研發型EUV曝光機EXE: 5000，隨著位於竹科寶山的2奈米晶圓廠Fab 20開始啟動建廠計畫，預期2022年內就會跟進對ASML下訂High-NA量產型EUV曝光機。

　■具備大量生產特色

　英特爾19日宣布與ASML達成長遠高數值孔徑合作案的框架內容協議，英特爾已向ASML下訂「業界首台」量產型EUV曝光機EXE:5200。這是款具備High-NA的EUV大量生產系統，每小時晶圓曝光產能可達200片以上。

　■英特爾2025年採用量產

　英特爾於2021年7月Accelarated活動中宣布，其部署首款High-NA技術的計畫，藉以確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在2018年即是EXE:5000系統的首位買家，透過此次所宣布的新訂購案，雙方合作關係將隨著英特爾於2025年開始以高數值孔徑EUV進行生產製造而延續下去。

　ASML執行長Peter Wennink指出，High-NA研發型EUV曝光機EXE: 5000將會在2024年前出貨，在手訂單已達5台，量產型EUV曝光機EXE: 5200將會在2024年推出，支援客戶後續量產計畫。

　ASML表示，相較於目前的EUV系統，ASML持續創新拓展EUV技術藍圖，並以降低後的複雜性、成本、週期時間和能量，提供驅動晶片產業下個十年所需要的良好經濟規模延展性。

　支援High-NA的EUV曝光機包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段，與之前EUV機器所具備的0.33數值孔徑鏡片相比，提供精確度提升的0.55高數值孔徑，為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化。系統所具備的數值孔徑結合其使用波長，決定了最小能夠印製的特徵尺寸。

　ASML表示，0.55高數值孔徑EUV技術已為2025年開始的多個未來節點所設計，同時也是業界首次部署該技術，隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術，High-NA技術有望自2025開始支援生產製造，並作為延續摩爾定律的其中一個重要方式。