半導體大廠英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）27日召開Intel Accelerated技術說明會，宣布IDM 2.0策略已邁開大步。
為了配合前段晶圓製程由奈米向埃米（angstrom）推進，並實現摩爾定律優勢，英特爾推出先進3D封裝技術，並宣布亞馬遜AWS將會是第一家採用英特爾晶圓代工服務（IFS）「封裝解決方案」的客戶。至於英特爾與台積電的合作將持續成長，包括採用其先進製程生產CPU模組化晶片塊（modular tiles）。
基辛格說明英特爾IDM 2.0策略最新進度。在自有技術推進及產能建置上，英特爾將繼續自內部生產多數產品，積極使用極紫外光（EUV）技術。
除了製程創新之外，英特爾在封裝技術上的領先地位也是一個重要的優勢，透過多個矽智財（IP）或晶片塊（tiles）的組合，提供獨特的客製化產品以滿足運算世界中多樣化客戶的需求。
與晶圓代工廠合作方面，基辛格強調將擴大採用台積電、聯電、三星晶圓代工、格芯等合作夥伴的產能，可望為英特爾帶來成本優化、效能、時程和供貨所需的更高靈活性和更大規模。
同時，英特爾與台積電的合作將持續成長，包括採用其先進製程生產模組化晶片塊，並在2023年開始為PC端和資料中心領域提供以英特爾運算為核心的產品。
在晶圓代工服務部分，基辛格表示，英特爾將會利用全球產能提供晶圓代工服務，IDM 2.0關鍵的一環就是生產製造，英特爾所採用的製程與封裝技術，亦會是全球供應鏈網路的一劑強心針，相關的創新將進一步吸引生態系夥伴共同深入合作。
此外，英特爾亦宣布推出Foveros Omni以及Foveros Direct等全新3D封裝技術。Foveros Omni採用晶片與晶片連結與模組化設計，允許混合多個頂層晶片塊與多個基底晶片塊，以及橫跨多種晶圓廠節點的分拆晶片（die disaggregation）設計，預計將於2023年準備大量生產。
英特爾為了降低互連電阻，Foveros Direct改採直接銅對銅接合技術，模糊了晶圓製造終點與封裝起點的界線，能夠達成低於10微米的凸點間距，提升3D堆疊一個量級的互連密度，為原先被認為無法達成的功能性晶片分割開啟新頁。至於Foveros Direct則是Foveros Omni的補充技術，同樣預計於2023年問世。