茂矽朋程第五代IGBT明年首季投產

　功率元件晶圓代工廠茂矽（2342）17日召開股東常會並完成董事改選，大股東朋程（8255）取得二席董事，雙方在絕緣閘雙極電晶體（IGBT）成績逐漸顯現，除了打進車用及消費性電子市場，也將推出第五代IGBT布局1,200V以上高電壓工業功率元件市場，明年第一季將開始生產。

　再者，茂矽也與國際IDM廠合作開發手機金氧半場效電晶體（MOSFET）並已小量出貨，打進大陸Android手機大廠供應鏈。

　朋程於2017年透過茂矽私募增資入股，雙方決定合作研發車用相關產品，朋程2018年再增加茂矽持股，持股比重達18％成為最大法人股東。茂矽17日股東會完成新任董事改選，朋程取得二席董事，二極體廠強茂取得一席董事，茂矽前董事長胡洪九之子胡恩瑞則退出董事會。

　茂矽第一季合併營收3.97億元，毛利率回升至15.8％，代表本業的營業利益由虧轉盈達0.11億元，但提列業外損失後季度虧損1.06億元，每股淨損0.69元。茂矽第二季以來受惠於醫療及筆電等相關MOSFET晶圓代工急單湧入，5月合併營收1.70億元較去年同成長92.7％，前五個月合併營收7.30億元，較去年同期成長35.4％。

　茂矽董事長唐亦仙表示，第二季急單推升產能利用率達滿載，季度本業獲利將創近二年來同期最佳，下半年隨著各地重啟經濟及客戶重啟下單，車用需求應可看到報復性反彈，只是筆電及醫療等急單告一段落，下半年營收表現將略低於上半年。整體來看，下半年展望仍中性偏熱觀，看來沒有想像中差。

　茂矽與朋程在車用IGBT市場合作，效益將會在明年逐步顯現，車用中高階產品報價高且利潤佳，對茂矽營運有很大助益。茂矽也投入高電壓大電流產品，下半年將展開第五代IGBT產能建置，主要生產應用於工業及家電的1,200V以上IGBT，明年第一季開始投產。

　此外，唐亦仙表示，茂矽與國際IDM廠合作開發手機MOSFET有成，今年開始小量交貨，並已切入Android手機供應鏈，未來隨著客戶的手機市場占有率提升，有助於茂矽後續營運表現。茂矽的手機MOSFET採用共源極（common source）技術進行橋接，應用在手機內控開關。