晶圓代工闢新戰場 氮化鎵概念股掌先機

　晶圓代工龍頭台積電（2330）將攜手意法加速開發氮化鎵（GaN）產品，GaN挾高頻率、高壓等優勢，有機會成為繼砷化鎵之後的半導體材料新起之秀，先前已有小米推出快充插座全面導入GaN技術，再加上龍頭業界結盟大動作，半導體新材料戰場儼然成型，包括嘉晶（3016）、穩懋（3105）等就備戰位置。

　半導體材料第一代為矽（Si）等，第二代兩種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵（GaAs）等為代表，第三代則是氮化鎵（GaN）等寬頻化合物半導體材料；因氮化鎵能在高溫、高電壓環境運作，主要優勢在於高頻率元件。進入5G世代，對高頻率、高功率元件需求成長，因而再度引發市場對氮化鎵的討論。

　穩懋董事長陳進財指出，GaN為下一世代的關鍵材料，穩懋在此領域的製程技術沒有問題，去年也已經量產出貨，技術不斷推進，主要應用在RF（射頻）方面，特別是5G通訊領域。至於，氮化鎵是否會取代砷化鎵、威脅到其地位？陳進財強調，主要根據各項應用與規格高低等需求而定，不會有誰取代誰的問題，各材料將同步邁向更高科技層面。

　被視為氮化鎵概念股的環宇-KY，2019年底宣布參與晶成半導體現金增資，投入6吋晶圓代工服務，發展GaN、VCSEL（面射型雷射）產品，由環宇-KY提供技術支援，拓展代工產能及客戶；目前6吋晶圓代工廠在試產驗證階段，預期氮化鎵產品第三季前可正式投產，應用在基站RF。

　而先前小米所推出的快充插座，因全面導入氮化鎵技術，法人看好，隨著5G智慧手機將大力採用快充技術，預期GaN需求將全面崛起，點名包括漢磊、嘉晶，以及功率半導體晶圓代工廠茂矽等，有機會搶下快充升級商機。