尼克森Q2獲利 拚季增2倍

　金氧半場效電晶體（MOSFET）供應商尼克森（3317）應主管機關要求公告5月自結獲利0.22億元，每股淨利0.36元，累計4月及5月每股淨利達0.74元，與第一季每股淨利0.35元相較成長逾1倍。法人表示，尼克森MOSFET及電源管理IC順利打進輝達（NVIDIA）、聯想供應鏈，第二季獲利可望較第一季大增2倍，單季每股淨利將賺逾1元。

　尼克森應主管機關要求公告自結獲利。尼克森5月合併營收月增5.8％達2.16億元，較去年同期大增22.9％，自結稅後淨利0.22億元，與去年同期虧損0.02億元相較已由虧轉盈，5月每股淨利0.36元，連續2個月單月獲利超過第一季。

　尼克森已公告第一季營收5.86億元，稅後淨利0.21億元，每股淨利0.35元。不過，受惠於MOSFET價格調漲及出貨暢旺，尼克森累計4月及5月合併營收4.20億元，稅後淨利0.45億元，2個月累計獲利已經比第一季獲利增加逾1倍，每股淨利達0.74元，優於市場預期。

　法人表示，MOSFET需求暢旺且價格看漲，預期尼克森6月營收將優於5月，推算第二季每股淨利可望賺逾1元，代表第二季單季獲利可望較第一季大增約2倍，下半年受惠於MOSFET價格續漲，獲利將逐季攀高。尼克森不評論法人預估財務數字。

　尼克森去年完成針對NVIDIA繪圖卡應用的3安培低壓及高壓轉換器（converter），同時也完成聯想電腦應用的降壓控制晶片及3安培及15安培的高壓轉換器，並且在今年順利打進NVIDIA及聯想供應鏈。法人看好尼克森除了在MOSFET的出貨維持強勁外，在電源管理相關晶片也持續擴大出貨動能，今年還可望打進超微（AMD）平台。

　在新產品的開發上，尼克森去年成功研發出第2代低閘極電荷低壓MOSFET，並成功推出1200V高壓MOSFET。在新技術布局上，尼克森亦完成第2代超接面（super junction）MOSFET及第1代700V正面製程絕緣閘雙極電晶體（IGBT）。

　尼克森今年研發重點除了包括低閘極電荷中壓MOSFET及第2.5代超接面MOSFET，還將投入第2代650V及1200V的中高壓IGBT研發，並且決定投入600V/1200V的碳化矽（SiC）製程平台產品開發。