三星領銜 半導體資本支出續增

　受惠於晶圓代工廠及IDM廠的邏輯製程微縮加速，以及記憶體廠擴大3D NAND產能，全球半導體廠資本支出今年持續成長。根據市調機構IC Insights統計，今年全球半導體市場資本支出規模將達723.05億美元，其中，記憶體大廠三星排名第一，處理器大廠英特爾排名第二，晶圓代工龍頭台積電排名第三，且前3大廠年度資本支出皆超過100億美元。

　根據IC insights統計，今年資本支出超過10億美元的半導體廠共達11家，占了全球半導體資本支出的78％。相較於2013年資本支出超過10億美元的廠商僅8家，顯示這5年來半導體廠對於擴大產能及升級製程有明顯需求。而預估今年全球半導體資本支出規模將達723.05億美元，較去年成長約6％。

　三星、英特爾、台積電的今年資本支出都超過100億美元，其中，記憶體廠三星今年資本支出達125億美元位居第一，主要投資項目在3D NAND、提升10奈米邏輯製程產能等。至於英特爾將啟動10奈米擴產及興建7奈米晶圓廠，所以今年資本支出上看125億美元，較去年增加25％。

　晶圓代工龍頭台積電去年資本支出102.49億美元超乎原先預期，較2015年成長27％，主要是部分10奈米機台提前在去年底裝機及試產；而今年台積電預估資本支出維持在100億美元居第三大，主要用於擴大10奈米及7奈米產能，雖較去年小幅減少2％，但在先進製程布局上仍按原計畫進行。

　以資本支出前11大的半導體廠來看，支出規模較去年明顯增加逾兩成的共有3家，包括英特爾、晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）、意法半導體等。其中，格羅方德去年資本支出明顯減少62％，今年增加33％至20億美元，主要用於擴建7奈米產能；意法半導體今年資本支出大增73％達10.5億美元，但意法已指出只有今年狀況較特別，業界認為主要是用來進行製程微縮。

　若以減幅來看，美光去年底完成併購華亞科，所以今年資本支出下滑13％至50億美元，今年主要投入3D NAND擴產及加速1x/1y奈米DRAM製程微縮。聯電去年資本支出大增50％達28.42億美元，主要用於28奈米及14奈米擴產，但今年則降低30％至20億美元。